[发明专利]氨氧化型亚硝化单胞菌菌株D23在审
申请号: | 201910992298.1 | 申请日: | 2015-04-15 |
公开(公告)号: | CN111057660A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | D.R.惠特洛克;I.格里洛斯;S.贾马斯;L.韦斯 | 申请(专利权)人: | AO生物医学有限责任公司 |
主分类号: | C12N1/20 | 分类号: | C12N1/20;C12R1/01 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张文辉 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 硝化 单胞菌 菌株 d23 | ||
1.一种优化的亚硝化单胞菌(N.eutropha)细菌的纯化制剂,其具有选自下列的至少一种特性:
优化的生长速率;
优化的NH4+氧化速率;和
优化的NH4+抗性。
2.根据权利要求1所述的亚硝化单胞菌细菌的制剂,其中所述优化的生长速率为允许具有约0.15-0.18的OD600(600nm下的光密度)的亚硝化单胞菌的连续培养物在约1至2天内达到约0.5-0.6的OD600的速率。
3.根据权利要求1或2所述的亚硝化单胞菌细菌的制剂,其中所述优化的生长速率为当在分批培养条件下培养时约8小时的倍增时间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的亚硝化单胞菌细菌的制剂,其中所述优化的NH4+氧化速率为至少约125微摩尔/分钟NH4+氧化为NO2-的速率。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的亚硝化单胞菌细菌的制剂,其中所述优化的NH4+抗性是在包含约200mM NH4+的培养基中生长至少约48小时的能力。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的亚硝化单胞菌细菌的制剂,其具有选自优化的生长速率、优化的NH4+氧化速率和优化的NH4+抗性的至少两种特性。
7.根据权利要求1至6所述的亚硝化单胞菌细菌的制剂,其具有优化的生长速率、优化的NH4+氧化速率和优化的NH4+抗性。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的亚硝化单胞菌细菌的制剂,其包含在极高严格度下与SEQ ID NO:1杂交的染色体。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的亚硝化单胞菌细菌的制剂,其包含与SEQ ID NO:6或SEQ ID NO:12具有选自至少约80%、85%、90%、95%、98%、99%、99.5%和100%相同的同一性的AmoA蛋白,与SEQ ID NO:8或SEQ ID NO:14具有选自至少约80%、85%、90%、95%、98%、99%、99.5%和100%相同的同一性的AmoB蛋白,与SEQ ID NO:4、SEQ ID NO:10或SEQ ID NO:16具有选自至少约80%、85%、90%、95%、98%、99%、99.5%和100%相同的同一性的amoC基因,与SEQ ID NO:18、SEQ ID NO:20或SEQ ID NO:22具有选自至少约80%、85%、90%、95%、98%、99%、99.5%和100%相同的同一性的羟胺氧化还原酶蛋白,与SEQID NO:24、SEQ ID NO:26或SEQ ID NO:28具有选自至少约80%、85%、90%、95%、98%、99%、99.5%和100%相同的同一性的细胞色素c554蛋白,或与SEQ ID NO:30或SEQ ID NO:32具有选自至少约80%、85%、90%、95%、98%、99%、99.5%和100%相同的同一性的细胞色素cM552蛋白。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的亚硝化单胞菌细菌的制剂,其包含表2中的1-5个、5-10个、10-15个、15-20个、20-25个、25-30个或所有序列特征。
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