[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明的基板处理装置一边抑制残留处理液进入器件区域一边处理上表面周缘部，具有：基板保持部，将基板保持为大致水平，围绕规定旋转轴旋转，旋转机构，使基板保持部围绕旋转轴旋转，处理液喷出部，以使液流接触以旋转轴为中心旋转的基板的上表面周缘部的旋转轨迹中的一部分的着落位置的方式喷出处理液的液流，气体喷出部，从上方朝向旋转轨迹中的着落位置的基板的旋转方向的上游侧的第一位置喷出非活性气体的第一气流，使第一气流从第一位置朝向基板的周缘，从上方朝向旋转轨迹中的第一位置的基板的旋转方向的上游侧的第二位置喷出非活性气体的第二气流，使第二气流从第二位置朝向基板的周缘；第二气流喷出时的动能小于第一气流喷出时的动能。

本申请是申请日为2016年06月20日、申请号为201610444504.1、发明名称为“基板处理装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及对半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用玻璃基板、太阳能电池用基板等(下面，仅称为“基板”)的上表面周缘部进行处理的技术。

背景技术

在基板中，几乎不会将器件图案(电路图案)形成至基板的端面，在大多数情况下，将器件图案形成在距离基板的端面一定宽度的内侧的上表面区域。

但是，在用于形成器件图案的成膜工序中，有时膜会形成至形成器件图案的区域(下面，仅称为“器件区域”)的外侧。形成在器件区域的外侧的膜，不仅是不需要的膜，而且可能成为各种故障的原因。例如，形成在器件区域的外侧的膜，在进行处理工序的过程中剥落，从而存在使成品率降低、使基板处理装置产生故障的担忧等。

因此，有时进行通过蚀刻将形成在器件区域的外侧的薄膜除去的处理(所谓的斜面蚀刻处理(bever etching))，提出了进行这样的处理的装置(例如，参照专利文献1～2)。

专利文献1、2的装置，一边使基板在水平面内围绕中心轴旋转，一边从配置于基板的周缘部的上方的喷嘴朝向上表面周缘部喷出处理液，来进行上表面周缘部的处理。喷嘴具有喷出口，该喷出口从上方与基板的周缘部的旋转轨迹的一部分相向。喷嘴以使处理液与正在旋转的基板的上表面周缘部中的位于喷出口的下方的部分接触的方式，持续地喷出处理液。上表面周缘部的各部分反复通过喷嘴的下方，而且接受喷嘴每次通过时所供给的新的处理液。

另外，在专利文献3～5中公开了如下内容，即，通过与基板相向的加热器对基板进行加热，并且向基板的上表面供给各种药液等处理液，来进行基板的处理。通过对基板进行加热，能够实现处理率的提高等。

专利文献3的装置具有与基板的上表面的周缘部相向的加热器和与基板的下表面的周缘部相向的加热器，通过这些加热器，从上下对基板的周缘部进行加热，并且向上表面的中央部供给处理液来对整个上表面进行处理。另外，专利文献4的装置，通过与基板的整个下表面相向的加热器，对基板整体地进行加热，并且向上表面的中央部喷出处理液来对整个上表面进行处理。另外，专利文献5的装置，一边通过与基板的下表面的周缘部相向的环状的加热器，对基板的周缘部进行加热，一边向上表面的周缘部喷出处理液，来对上表面周缘部进行处理。

另外，在专利文献6中公开了一种基板处理装置，具有：蚀刻液供给喷嘴，向基板上表面的周缘部中的距基板的旋转中心的距离不同的多个位置，喷出蚀刻液；和纯水供给喷嘴，向基板上表面的中央部喷出保护用的纯水。向上表面中央部喷出的纯水，随着基板的旋转而供给至整个上表面，从而冲掉向上表面中的除了周缘部之外的非处理区域飞散的蚀刻液。由此，保护非处理区域。在蚀刻液接触的位置中，蚀刻液的浓度高，从该位置向周缘侧扩散的蚀刻液，被纯水稀释而浓度变低。为了均匀地对基板的周缘部的径向距离不同的各位置进行蚀刻处理，专利文献6的装置，向基板的距旋转中心的距离不同的多个位置供给蚀刻液，从而使基板的周缘部中的蚀刻液的浓度均匀。