[发明专利]一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺

权利要求书

1.一种PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，包括：

沉积腔室本体，

上电极和下电极，均设置在所述沉积腔室本体内部，所述上电极和下电极用于施加电源，并在所述上电极和下电极之间形成等离子体；

真空腔室阀门，设置在所述沉积腔室本体内部，用于在开启状态下联通所述沉积腔室本体与大气压，并且在关闭状态下密封所述沉积腔室本体；

固定载具，所述固定载具与所述下电极固连，位于所述上电极和下电极之间，用于承载待加工工件。

2.根据权利要求1所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，所述固定载具为导电材料的固定载具。

3.根据权利要求2所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，所述固定载具为石墨固定载具、碳纤维固定载具、铝制固定载具中的一种。

4.根据权利要求1所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，所述上电极和下电极用于施加RF射频电源或VHF甚高频电源。

5.根据权利要求1-3任一项所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，还包括磁场装置和气源入口；

所述气源入口，用于在所述真空腔室阀门关闭状态下向所述沉积腔室本体内输送工艺气源。

6.根据权利要求1-3任一项所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，所述固定载具是单层固定载具、两层固定载具或多层固定载具中的一种。

7.一种PECVD工艺，其特征在于，使用权利要求1-6任一项所述的PECVD薄膜沉积腔室。

8.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于，包括如下步骤：

1)将所述待加工工件通过自动化设备放置在所述固定载具上；

2)进行薄膜沉积；

3)将加工后的工件通过自动化设备移出所述PECVD薄膜沉积腔室。

9.根据权利要求8所述的工艺，其特征在于，步骤2)包括：

关闭所述真空腔室阀门，待所述沉积腔室本体内部真空后，通过所述气源入口向所述沉积腔室本体内部输送工艺气源，所述工艺气源在所述上电极和下电极之间形成等离子体，在此条件下所述待加工工件完成薄膜沉积。

10.根据权利要求9所述的工艺，其特征在于，所述工艺气源包括含有硅和/或氢的气体。