[发明专利]一种碳纳米管平行阵列的制备方法有效
申请号: | 201910992764.6 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN110683508B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 梁学磊;刘芳 | 申请(专利权)人: | 北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学;北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
主分类号: | B81B7/04 | 分类号: | B81B7/04;B81C1/00;C01B32/166 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张雪娇 |
地址: | 100195 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 平行 阵列 制备 方法 | ||
1.一种碳纳米管平行阵列的制备方法,其特征在于,包括:
提供第一衬底和第二衬底,所述第一衬底具有多个沿第一方向排列的凸起结构,所述凸起结构沿第二方向延伸,所述第二衬底具有沉积平面;所述第一方向与所述第二方向交叉;
将所述第一衬底倒置在所述第二衬底上方,以使所述凸起结构朝向所述沉积平面设置,并在所述第一衬底与所述第二衬底之间引入碳纳米管溶液,以使所述碳纳米管溶液在所述凸起结构的顶部与所述第二衬底之间形成毛细桥,随着所述碳纳米管溶液的蒸发,碳纳米管阵列形成于所述第一衬底和第二衬底表面;
当所述碳纳米管溶液完全蒸发后,沿平行于所述沉积平面的方向移动所述第一衬底;
在所述第一衬底移动完成后,在所述第一衬底与所述第二衬底之间重新引入所述碳纳米管溶液。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述第一衬底倒置在所述第二衬底上方,以使所述凸起结构朝向所述沉积平面设置,并在所述第一衬底与所述第二衬底之间引入碳纳米管溶液包括:
在所述第二衬底的沉积平面上设置碳纳米管溶液;
将所述第一衬底的凸起结构设置在所述碳纳米管溶液表面,使所述碳纳米管溶液支撑所述第一衬底。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述第一衬底倒置在所述第二衬底上方,以使所述凸起结构朝向所述沉积平面设置,并在所述第一衬底与所述第二衬底之间引入碳纳米管溶液包括:
将所述第一衬底倒置在所述第二衬底上方,并在所述第一衬底与所述第二衬底之间设置支撑结构,以使所述支撑结构保持所述第一衬底和第二衬底之间的距离为固定距离;
在所述第一衬底和第二衬底之间引入碳纳米管溶液,以使所述碳纳米管溶液在所述凸起结构的顶部与所述第二衬底之间形成毛细桥。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一衬底的制备方法包括:
提供硬质材料作为母版;
在所述母版上设置光刻胶或电子束胶,并通过光刻或电子束曝光的方式对所述光刻胶或电子束胶进行图形化;
以图形化后的光刻胶或电子束胶为掩膜,对所述母版进行刻蚀,以在所述母版上形成多个凸起结构图形,并将具有多个凸起结构图形的母版作为所述第一衬底。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一衬底的制备方法包括:
提供硬质材料作为母版;
在所述母版上设置光刻胶或电子束胶,并通过光刻或电子束曝光的方式对所述光刻胶或电子束胶进行图形化;
以图形化后的光刻胶或电子束胶为掩膜,对所述母版进行刻蚀,以在所述母版上形成多个凸起结构图形;
在所述母版上倾倒预设材料,并在所述预设材料固化后剥离,以获得所述第一衬底。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一衬底包括底板和设置于底板上的凸起结构。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述第一衬底倒置在所述第二衬底上方,以使所述凸起结构朝向所述沉积平面设置,并在所述第一衬底与所述第二衬底之间引入碳纳米管溶液,以使所述碳纳米管溶液在所述凸起结构的顶部与所述第二衬底之间形成毛细桥,随着所述碳纳米管溶液的蒸发,碳纳米管阵列形成于所述第一衬底和第二衬底表面之前还包括:
对所述第一衬底和第二衬底表面进行表面处理,以通过调节所述第一衬底和第二衬底表面的亲疏水性,以便于碳纳米管平行阵列的沉积。
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