[发明专利]一种3D晶圆的加工方法在审
| 申请号： | 201910992976.4 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110729178A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 林建涛;唐辉 | 申请（专利权）人： | 记忆科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 44242 深圳市精英专利事务所 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区蛇口街道蛇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 晶圆 减薄 环形切割 晶圆边缘 段差 剔除 晶圆背部 晶圆翘曲 减小 良率 烧焦 贴膜 中段 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种3D晶圆的加工方法，其特征在于，所述方法包括：
对晶圆进行贴膜；
在对所述晶圆进行研磨减薄之前，对所述晶圆进行环形切割剔除所述晶圆边缘段差的部分；
对环形切割后的晶圆进行研磨减薄。
2.如权利要求1所述的3D晶圆的加工方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行环形切割剔除所述晶圆边缘段差的部分的步骤还包括：
通过机械切割工艺对所述晶圆进行环形切割。
3.如权利要求2所述的3D晶圆的加工方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行环形切割剔除所述晶圆边缘段差的部分的步骤还包括：
通过激光切割工艺对所述晶圆进行环形切割。
4.如权利要求3所述的3D晶圆的加工方法，其特征在于，所述通过激光切割工艺对所述晶圆进行环形切割的步骤还包括：
根据所述晶圆的电路层分布确定激光切割的加工路径；
根据所述加工路径对所述晶圆进行环形切割，将没有功能的电路层边缘切掉以去除边缘应力。
5.如权利要求1-4任一项所述的3D晶圆的加工方法，其特征在于，在所述对晶圆进行贴膜的步骤之后还包括：
在对所述晶圆进行环形切割之前，对所述晶圆进行预研磨。
6.如权利要求5所述的3D晶圆的加工方法，其特征在于，在所述对环形切割后的晶圆进行研磨减薄的步骤之后还包括：
对研磨减薄后的晶圆再次进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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