[发明专利]一种提高转换速度的电平转换电路及电子设备在审
| 申请号： | 201910993502.1 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110739960A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 刘丽;苗小雨 | 申请（专利权）人： | 四川中微芯成科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K19/003 |
| 代理公司： | 51247 成都坤伦厚朴专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘坤 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电平转换电路 电子设备 恒定电压 输入电压 电容 反相器 反相 电子电路技术 恒定 电压上拉 恒定电流 快速变换 输出电压 输入电平 下拉电路 下拉电压 耦合作用 电流源 高电平 零电平 低电 电阻 电路 转换 | ||
1.一种提高转换速度的电平转换电路，其特征在于所述电平转换电路包括输入信号端，输出信号端，反向器，第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管，恒定电流源、阻抗，电容，PMOS晶体管；
所述第一NMOS晶体管栅极与所述输入信号端连接，源极接地，漏极经由所述恒定电流源与所述阻抗第一端连接；
所述第二NMOS晶体管栅极通过所述反向器与所述输入信号连接，源极接地，漏极与所述PMOS晶体管源极共接并同时连接至所述输出信号端；
所述阻抗第一端与所述PMOS晶体管栅极共接，所述阻抗第一端还经所述电容连接至所述第二NMOS晶体管栅极；
所述阻抗第二端以及所述PMOS晶体管漏极连接至第一高电平；
所述输入信号端输入信号为一低电平信号时所述输出信号端输出低电平；
所述输入信号端输入信号为一高电平信号时所述输出信号端输出高电平。
2.根据权利要求1所述的提高转换速度的电平转换电路，其特征在于所述输入信号端输入信号为一低电平信号时所述输出信号端输出的低电平为零电平，所述输入信号端输入信号为一高电平信号时所述输出信号端输出的高电平为所述第一高电平。
3.根据权利要求1所述的提高转换速度的电平转换电路，其特征在于所述阻抗电阻为R，所述恒定电流源电流为I，所述第一高电平电压为V，当输入为低电平时所述第二NMOS晶体管栅极处电压为VL，且满足VL＝R*I以及电压V-R*I为能够使得所述PMOS晶体管导通的电压。
4.根据权利要求1所述的提高转换速度的电平转换电路，其特征在于所述阻抗为不随电流变化的恒定阻抗。
5.根据权利要求1所述的提高转换速度的电平转换电路，其特征在于所述输入信号端输入的低电平信号为接地电压电平。
6.根据权利要求1所述的提高转换速度的电平转换电路，其特征在于所述输入信号端输入的高电平信号为电压大于或等于1.5V的信号。
7.根据权利要求1所述的提高转换速度的电平转换电路，其特征在于所述第一NMOS晶体管与第二NMOS晶体管的沟道宽度比例为1：1。
8.根据权利要求1所述的提高转换速度的电平转换电路，其特征在于所述PMOS晶体管与所述第一NMOS晶体管的沟道宽度比例为2.5至3之间任一比例。
9.根据权利要求1所述的提高转换速度的电平转换电路，其特征在于所述PMOS晶体管与所述第二NMOS晶体管的沟道宽度比例为2.5至3之间任一比例。
10.一种电子设备，其特征在于使用如权利要求1-9任一项所述的电平转换电路进行电平转换。
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