[发明专利]角刺环周双连面阴极交替斜弓门控结构的发光背光源

说明书

本发明公开了一种角刺环周双连面阴极交替斜弓门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件；所述的真空封闭体由前透硬玻璃板、后透硬玻璃板和玻璃窄框条构成；在前透硬玻璃板上设有阳极垫膜导传层、阳极灰银连电层和薄发光层，所述的阳极垫膜导传层和阳极灰银连电层相连，所述的薄发光层制作在阳极垫膜导传层上面；在后透硬玻璃板上设有角刺环周双连面阴极交替斜弓门控结构。具有制作结构简单、发光背光源发光亮度高、发光背光源的发光灰度可调节性能优异的优点。

技术领域

本发明属于平面显示技术领域、纳米科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、微电子科学与技术领域、光电子科学与技术领域、半导体科学与技术领域以及真空科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面发光背光源的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面发光背光源的制作，特别涉及到一种角刺环周双连面阴极交替斜弓门控结构的发光背光源及其制作工艺。

背景技术

在适宜的真空环境下，碳纳米管能够进行电子发射，这一特性使得碳纳米管已成为了一种非常适宜的阴极制作材料。随着丝网印刷工艺的大规模推广，制作大面积的、图形化的碳纳米管阴极变得很容易，这也加速了碳纳米管阴极的制作进程。利用碳纳米管阴极而制作的发光背光源是一种真空设备；碳纳米管阴极的加速发展，无疑也推动了发光背光源设备的研究进展。

但是，在三极结构的发光背光源中，还存在一些技术困难需要解决。例如，第一，碳纳米管阴极的电子发射效率十分低下。在已制备的碳纳米管阴极中，有的碳纳米管能够进行较多的电子发射，有的碳纳米管仅能够进行较少的电子发射，甚至还有相当一部分碳纳米管根本就不发射电子，从而总体而言来说，碳纳米管阴极的电子发射效率很低，也十分不利于形成发光背光源的大阴极电流。第二，门极电压对碳纳米管阴极的调控性能非常差。门极电压的功能就是对碳纳米管阴极的电子发射进行控制和调节，使得碳纳米管阴极发射电子数量的多少能够随着门极电压的变化而变化；若碳纳米管阴极的电子发射并不是严格随着门极电压的变化，也就意味着碳纳米管阴极受门极电压的控制性能在减弱。第三，碳纳米管阴极的制作面积很小。碳纳米管阴极的制作面积小，也就是说，碳纳米管的数量变少了，这是十分不利于形成发光背光源的大阴极电流的。这些技术困难还需要认真考虑和解决。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于克服上述发光背光源中存在的缺陷和不足而提供一种制作结构简单的、发光背光源的发光亮度高的、发光背光源的发光灰度可调节性能优异的角刺环周双连面阴极交替斜弓门控结构的发光背光源及其制作工艺。

技术方案：本发明的角刺环周双连面阴极交替斜弓门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件；所述的真空封闭体由前透硬玻璃板、后透硬玻璃板和玻璃窄框条构成；在前透硬玻璃板上设有阳极垫膜导传层、阳极灰银连电层和薄发光层，所述的阳极垫膜导传层和阳极灰银连电层相连，所述的薄发光层制作在阳极垫膜导传层上面；在后透硬玻璃板上设有角刺环周双连面阴极交替斜弓门控结构。