[发明专利]高阻尼低颤动抗震基座

权利要求书

1.高阻尼低颤动抗震基座，其特征在于，包括：

下基座(1)，其上开设有下凹导滑槽(11)，以及还设有位于所述下凹导滑槽(11)两侧的下凹弧位(12)；

上基座(2)，其设于所述下基座(1)上侧，并与所述下基座(1)交叉设置，且其上开设有上凹导滑槽(21)，以及还设有位于所述上凹导滑槽(21)两侧的上凹弧位(22)；

中间滑轨组(3)，其设于所述下基座(1)与所述上基座(2)间，且其下侧滑动连接于所述下凹导滑槽(11)内，以及其上侧滑动连接于所述上凹导滑槽(21)内；

下接触组(4)，其设于所述中间滑轨组(3)上，且与所述下凹弧位(12)相接触；

上接触组(5)，其设于所述中间滑轨组(3)上，位于所述下接触组(4)上侧，且其与所述上凹弧位(22)相接触。

2.根据权利要求1所述的高阻尼低颤动抗震基座，其特征在于：所述下凹导滑槽(11)包括：

下前下凹导滑槽(111)，其沿所述下基座(1)横向方向开设于所述下基座(1)前侧；

下后下凹导滑槽(112)，其沿所述下基座(1)横向方向开设于所述下基座(1)后侧；

所述下凹弧位(12)包括：

下前下凹弧位(121)，其设于所述下前下凹导滑槽(111)前后两侧；

下后下凹弧位(122)，其设于所述下后下凹导滑槽(112)前后两侧。

3.根据权利要求2所述的高阻尼低颤动抗震基座，其特征在于：所述下前下凹弧位(121)包括：

左下前下凹弧位(1211)，其设于所述下前下凹导滑槽(111)左部的前后两侧；

右下前下凹弧位(1212)，其设于所述下前下凹导滑槽(111)右部的前后两侧；

所述下后下凹弧位(122)包括：

左下后下凹弧位(1221)，其设于所述下后下凹导滑槽(112)左部的前后两侧；

右下后下凹弧位(1222)，其设于所述下后下凹导滑槽(112)右部的前后两侧。

4.根据权利要求3所述的高阻尼低颤动抗震基座，其特征在于：所述下基座(1)包括：

下前板组(101)；

下后板组(102)，其设于所述下前板组(101)后侧；

连接杆组(103)，其连接于所述下前板组(101)与所述下后板组(102)间；

所述下前板组(101)上设有所述下前下凹导滑槽(111)和所述左下前下凹弧位(1211)及所述右下前下凹弧位(1212)；

所述下后板组(102)上设有所述下后下凹导滑槽(112)和所述左下后下凹弧位(1221)及所述右下后下凹弧位(1222)。

5.根据权利要求4所述的高阻尼低颤动抗震基座，其特征在于：所述上凹导滑槽(21)包括：

左前上凹导滑槽(211)，其沿所述上基座(2)纵向方向开设于所述上基座(2)左前侧上；

左后上凹导滑槽(212)，其沿所述上基座(2)纵向方向开设于所述上基座(2)左后侧上；

右前上凹导滑槽(213)，其沿所述上基座(2)纵向方向开设于所述上基座(2)右前侧上；

右后上凹导滑槽(214)，其沿所述上基座(2)纵向方向开设于所述上基座(2)右后侧上；

所述上凹弧位(22)包括：

左前上凹弧位(221)，其设于所述左前上凹导滑槽(211)左右两侧；

左后上凹弧位(222)，其设于所述左后上凹导滑槽(212)左右两侧；

右前上凹弧位(223)，其设于所述右前上凹导滑槽(213)左右两侧；

右后上凹弧位(224)，其设于所述右后上凹导滑槽(214)左右两侧。