[发明专利]晶圆检测方法

权利要求书

1.一种晶圆检测方法，其特征在于：包括：

提供多个待测晶圆，每一待测晶圆包括多个曝光场，每一曝光场上设有至少一待测芯片；

在每一曝光场上选定一待测芯片的其中一区域为待测区；

确定多个第一坐标位置，根据所述第一坐标位置在当前待测晶圆中选定部分曝光场作为第一曝光场；

对所述当前待测晶圆位于每一第一曝光场上的待测芯片的待测区进行测试；

当其中一待测芯片被测试为不良芯片时，标记所述不良芯片所在的第一曝光场为不良曝光场；

将临近所述不良曝光场设置的多个曝光场标记为备选曝光场；

选定至少一备选曝光场，确定所选定的每一所述备选曝光场的第二坐标位置；

根据所述第二坐标位置，在下一待测晶圆中选定对应的曝光场作为至少一第二曝光场；以及

对所述下一待测晶圆位于每一所述第二曝光场上的待测芯片的待测区进行测试。

2.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所选定的所述备选曝光场的数量为一个，在标记所述不良曝光场之后，所述方法还包括：

根据除所述不良曝光场之外的其它第一曝光场的第一坐标位置，在所述下一待测晶圆中选定对应的曝光场作为其余第二曝光场；

其中，所述晶圆检测方法对所述下一待测晶圆位于所有第二曝光场上的待测芯片的待测区进行测试。

3.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，在标记所述不良曝光场之后，所述方法还包括：

从除所述不良曝光场之外的其它第一曝光场中选定至少一第一曝光场为非所需曝光场，所选定的所述非所需曝光场的数量等于所选定的所述备选曝光场的数量；以及

根据除所述非所需曝光场之外的其它第一曝光场的第一坐标位置，在所述下一待测晶圆中选定对应的曝光场作为其余第二曝光场；

其中，所述晶圆检测方法对所述下一待测晶圆位于所有第二曝光场上的待测芯片的待测区进行测试。

4.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述测试包括对所述待测芯片上所涂覆的光刻胶的厚度进行测量，并将所述厚度与一最大预设厚度以及一最小预设厚度进行比较，当所述厚度大于所述最大预设厚度或小于所述最小预设厚度时，所述待测芯片为不良芯片。

5.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

确定每一其余备选曝光场的第三坐标位置；

根据所述其余备选曝光场的第三坐标位置，在每一后续待测晶圆中分别选定对应的一曝光场作为第三曝光场；以及

对所述后续待测晶圆位于所述第三曝光场上的待测芯片的待测区进行测试，直至所述后续待测晶圆中与所有其余备选曝光场对应的曝光场测试完毕。

6.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述确定多个第一坐标位置包括：

提供一控制图，所述控制图包括多个预设曝光场，所述预设曝光场与所述待测晶圆的曝光场位置对应；

从所述控制图中选定多个预设曝光场；以及

确定所选定的所述预设曝光场的坐标位置为所述第一坐标位置。