[发明专利]一种对低压下页岩等温吸附实验吸附气含量的校正方法

权利要求书

1.一种对低压下页岩等温吸附实验吸附气含量的校正方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)对目标区域内的若干口钻井取心获得页岩气产层段的岩心样本；

2)利用高压等温吸附实验测量岩心样本在不同压力下对应的实测吸附气量V以及游离相甲烷气体密度ρ_g；

3)采用Langmuir三元模型，对实测吸附气量V进行非线性拟合，得到高压Langmuir体积V_GL、高压Langmuir压力P_GL和吸附相甲烷气体密度ρ_a；Langmuir三元模型的表达式为：V＝V_GL*P_P/(P_GL+P_P)*(1-ρ_g/ρ_a)；

4)采用Langmuir二元模型，对高压等温吸附实验低压段的实测吸附气量V进行非线性拟合，得到低压Langmuir体积V_DL和低压Langmuir压力P_DL；Langmuir二元模型的表达式为：V＝V_DL*P_P/(P_DL+P_P)；

5)根据步骤3)得到的高压Langmuir体积V_GL和步骤4)得到的低压Langmuir体积V_DL建立对应关系并建立Langmuir体积校正函数；

6)根据步骤3)得到的高压Langmuir压力P_GL和步骤4)得到的低压Langmuir压力P_DL建立对应关系并建立Langmuir压力校正函数；

7)将低压Langmuir体积V_DL和低压Langmuir压力P_DL分别通过Langmuir体积校正函数和Langmuir压力校正函数校正，得到校正后的高压Langmuir体积V＇_GL和校正后的高压Langmuir压力P＇_GL；

8)将校正后的高压Langmuir体积V＇_GL、校正后的高压Langmuir压力P＇_GL和岩心样本对应深度段的地层压力P_P带入Langmuir二元模型，计算得到页岩的吸附气含量V_S。

2.如权利要求1所述的对低压下页岩等温吸附实验吸附气含量的校正方法，其特征在于，若干口钻井在目标区域内的目的层段水平方向和纵向上均匀分布。

3.如权利要求1所述的对低压下页岩等温吸附实验吸附气含量的校正方法，其特征在于，步骤2)中，高压等温吸附实验的温度为目标区域内产层段的平均地层温度。

4.如权利要求1所述的对低压下页岩等温吸附实验吸附气含量的校正方法，其特征在于，步骤5)中，Langmuir体积校正函数的表达式为：

V_GL＝1.3305*V_DL+0.2134，相关系数R²＝0.96。

5.如权利要求1所述的对低压下页岩等温吸附实验吸附气含量的校正方法，其特征在于，步骤6)中，Langmuir压力校正函数的表达式为：

P_GL＝3.8201*ln(P_DL)+1.2906，相关系数R²＝0.92。

6.如权利要求1所述的对低压下页岩等温吸附实验吸附气含量的校正方法，其特征在于，步骤8)中，吸附气含量V_S通过下式得到：

V_S＝V＇_GL*P_P/(P＇_GL+P_P)。

7.如权利要求1所述的对低压下页岩等温吸附实验吸附气含量的校正方法，其特征在于，步骤4)中，所述低压段的压力为0～12MPa，整个高压等温吸附实验的测量压力为0～30MPa。

8.如权利要求1所述的对低压下页岩等温吸附实验吸附气含量的校正方法，其特征在于，步骤3)和步骤4)中的非线性拟合，是采用Origin软件进行的。