[发明专利]一种基于光电二极管阵列的辐照强度分布测量方法

权利要求书

1.一种基于光电二极管阵列的辐照强度分布测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)固定光电二极管阵列中的每个光电二极管在线路板上，并将每个光电二极管与数据采集记录系统通过信号线连接；

2)将光电二极管阵列置于聚光光伏光热系统的聚光面上，通过数据采集记录系统采集和记录光电二极管的光生电流；

3)由标准模拟光源下测量得到的光生电流以及步骤2)中得到的光电二极管的光生电流计算得到聚光面上各个光电二极管接收到的辐照强度大小；再根据光电二极管阵列的辐照强度大小，计算辐照非均匀度；

其中，计算得到聚光面上各个光电二极管接收到的辐照强度大小的具体过程为：假设两排光电二极管接收到的辐照强度大小分别为G₁₁，G₁₂，……，G_1m，G₂₁，G₂₂，……，G_2n，则有：

上式中，G_ij表示光电二极管阵列中任意一个光电二极管接收到的辐照强度，其中i代表阵列的行，取值为1或2，j表示某一行中第几个光电二极管；当i＝1时，j＝1,2，……，m；i＝2时，j＝1,2，……，n；m为第一排光电二极管的数量，n为第二排光电二极管数量，I_ij和I_ij,ref分别表示光电二极管在聚光条件下和标准模拟光源照射条件下的光生电流，G_ref是标准模拟光源的辐照强度；

根据光电二极管阵列的辐照强度大小，计算辐照非均匀度的具体过程为：

上式中，σ_G为用标准模拟光源的辐照强度G_ref无量纲化后的辐照非均匀度，为阵列中所有光电二极管接收到的辐照强度的平均值。

2.根据权利要求1所述的一种基于光电二极管阵列的辐照强度分布测量方法，其特征在于，步骤1)中，光电二极管阵列包括两排光电二极管，两排光电二极管采用错位插空排列的方式布置，每个二极管的正负接线端与数据采集系统相连。

3.根据权利要求2所述的一种基于光电二极管阵列的辐照强度分布测量方法，其特征在于，假设第一排光电二极管的数量为m，第二排光电二极管数量为n，当为偶数时，当为奇数时，其中，w为需要进行辐照强度分布测量的平面的宽度，l为二极管边长。

4.根据权利要求1所述的一种基于光电二极管阵列的辐照强度分布测量方法，其特征在于，步骤1)中，光电二极管的型号为SFH2400。

5.根据权利要求1所述的一种基于光电二极管阵列的辐照强度分布测量方法，其特征在于，步骤1)中，通过焊接的方式将每个光电二极管固定在线路板上。