[发明专利]高电源抑制比的低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种高电源抑制比的低压差线性稳压器，包括：

功率晶体管以及误差放大器，所述误差放大器用于将所述低压差线性稳压器的输出电压与基准电压进行比较，并根据二者之间的误差信号驱动所述功率晶体管，其中，所述误差放大器包括：

第一输入级，包括分别选自P型的金属氧化物半导体场效应晶体管的第一晶体管对，所述第一晶体管对用于接收所述输出电压和所述基准电压；

第二输入级，包括分别选自N型的金属氧化物半导体场效应晶体管的第二晶体管对，所述第二晶体管对用于接收所述输出电压和所述基准电压；

共源共栅放大级，分别与所述第一输入级和所述第二输入级连接，用于提供所述输出电压和所述基准电压之间的误差信号；以及

控制电路，用于根据所述基准电压控制所述第一输入级的开启和关闭，

其中，当所述基准电压从0逐渐升高且小于设定阈值时，所述第二输入级关闭，所述控制电路控制所述第一输入级开启；当所述基准电压升高到设定阈值时，所述第二输入级开启，所述控制电路控制所述第一输入级关闭。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述控制电路中还被配置为在所述基准电压等于所述设定阈值的延迟预定时间之后关闭所述第一输入级。

3.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一输入级包括第一晶体管、第二晶体管、第一电流源以及控制开关，

所述第一电流源的第一端连接至供电端，第二端连接至所述控制开关的第一端，

所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一端彼此连接，且与所述控制开关的第二端连接，

所述第一晶体管的控制端用于接收所述输出电压，所述第二晶体管的控制端用于接收所述基准电压，

所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二端分别连接至所述共源共栅放大级，

所述控制电路根据所述基准电压和所述设定阈值控制所述控制开关的导通和关断，以控制所述第一输入级的开启和关闭。

4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第二输入级包括第三晶体管、第四晶体管以及第二电流源，

所述第三晶体管和所述第四晶体管的第一端分别连接至所述共源共栅放大级，

所述第三晶体管和所述第四晶体管的第二端彼此连接，且与所述第二电流源的第一端连接，所述第二电流源的第二端接地，

所述第三晶体管的控制端用于接收所述输出电压，所述第四晶体管的控制端用于接收所述基准电压。

5.根据权利要求4所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述共源共栅放大级包括：

串联连接于所述供电端和地之间的第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管以及第八晶体管；以及

串联连接于所述供电端和地之间的第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管以及第十二晶体管，

其中，所述第五晶体管和所述第九晶体管构成电流镜，所述第六晶体管和所述第十晶体管的控制端相互连接，

所述第七晶体管和所述第十一晶体管的控制端相互连接，并接收第一偏置电压，

所述第八晶体管和所述第十二晶体管的控制端相互连接，并接收第二偏置电压，

所述第五晶体管的第二端与所述第三晶体管的第一端连接，所述第九晶体管的第二端与所述第四晶体管的第一端连接，

所述第七晶体管的第二端与所述第一晶体管的第二端连接，所述第十一晶体管的第二端与所述第二晶体管的第二端连接，

所述第十晶体管和所述第十一晶体管的连接节点用于提供所述误差信号。

6.根据权利要求5所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管分别选自P型的金属氧化物半导体场效应晶体管，

所述第七晶体管、所述第八晶体管、所述第十一晶体管以及所述第十二晶体管分别选自N型的金属氧化物半导体场效应晶体管。

7.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，还包括连接于所述误差放大器的输出端和所述功率晶体管的控制端之间的缓冲器。