[发明专利]一种低压差线性稳压器有效
申请号: | 201910995504.4 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN112684844B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 林宇 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/575 | 分类号: | G05F1/575 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;高青 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 线性 稳压器 | ||
本申请公开了一种低压差线性稳压器,包括误差放大器、偏置电路、以及电源抖动抑制电路,误差放大器用于将输出电压与基准电压进行比较,并根据二者的误差信号控制功率晶体管的管压降,以稳定输出电压,偏置电路用于向误差放大器提供偏置电流,电源抖动抑制电路用于根据供电电压向偏置电路提供补偿电流,以使得偏置电路在供电电压发生变化时提供稳定的偏置电流,使得输出电压的下冲得到有效抑制,提高了电路的稳定性。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,更具体地,涉及一种低压差线性稳压器。
背景技术
低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)是将不稳定的输入电压转换为可调节的直流输出电压,以便于作为其它系统的供电电源。由于线性稳压器具有结构简单、静态功耗小、输出电压纹波小等特点,因此线性稳压器常被用于移动消费类电子设备芯片的片内电源管理。
如图1示出根据现有技术的低压差线性稳压器的电路示意图。如图1所示,低压差线性稳压器100包括功率晶体管Mnp、误差放大器110以及缓冲器120。功率晶体管Mnp用于根据供电端提供的供电电压VDD向后级负载提供输出电压Vout。误差放大器110用于将输出电压Vout与一参考信号Vref进行比较,以获得二者之间的误差信号。缓冲器120用于根据所述误差信号控制功率晶体管Mnp的压降,从而稳定输出电压Vout。
在现有的低压差线性稳压器中,当供电端的供电电压从高到低变化时,误差放大器的偏置电流变得很小甚至为零,会导致LDO不能正常工作,继而使得输出端的电压跟随供电电压而变化。当供电电压快速变化时会在输出端的电压上产生毛刺现象,且供电电压变化幅度越大,毛刺越大,导致电路异常,严重影响了电路的稳定性。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种低压差线性稳压器,可在供电电压发生变化时降低输出电压的下冲,提高电路的稳定性。
根据本发明实施例,提供了一种低压差线性稳压器,用于将供电端提供的供电电压转换成输出端的输出电压,包括:误差放大器,用于将所述输出电压与基准电压进行比较,并根据二者的误差信号控制功率晶体管的管压降,以稳定所述输出电压;偏置电路,用于向所述误差放大器提供偏置电流;以及电源抖动抑制电路,用于根据所述供电电压向所述偏置电路提供补偿电流。
优选地,所述电源抖动抑制电路包括:串联连接于内部偏置电压和地之间的第一晶体管和第一电流源;串联连接于所述内部偏置电压和地之间的第二晶体管和第三晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管构成电流镜;第一电容,第一端与所述供电端连接,第二端与所述第一晶体管和第二晶体管的控制端连接;以及串联于所述偏置电路与地之间的第四晶体管,所述第四晶体管和所述第三晶体管构成电流镜,从而向所述偏置电路提供第一补偿电流。
优选地,所述低压差线性稳压器还包括连接在所述误差放大器的输出端与所述功率晶体管的控制端之间的缓冲器。
优选地,所述电源抖动抑制电路还包括:串联连接于所述缓冲器和地之间的第五晶体管,所述第五晶体管和所述第三晶体管构成电流镜,从而向所述缓冲器提供第二补偿电流。
优选地,所述偏置电路包括第六至第九晶体管、以及第二电流源,第六晶体管和第二电流源依次串联连接于所述供电端和地之间,第七晶体管和第八晶体管依次串联连接于所述供电端和地之间,其中,所述第六晶体管和所述第七晶体管构成电流镜,所述第八晶体管和所述第九晶体管构成电流镜,所述第六晶体管和所述第二电流源的中间节点连接至所述第四晶体管的第一端以接收所述第一补偿电流,所述偏置电流流经所述第九晶体管。
优选地,所述误差放大器包括:输入级,用于接收所述输出电压和所述基准电压;以及放大级,与所述输入级相连接,用于输出所述输出电压和所述基准电压之间的误差信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圣邦微电子(北京)股份有限公司,未经圣邦微电子(北京)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910995504.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。