[发明专利]低温多晶硅基板的制作方法及低温多晶硅基板

权利要求书

1.一种低温多晶硅基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上依次沉积形成缓冲层(20)和非晶硅层(35)；

步骤S2、在所述非晶硅层(35)和缓冲层(20)上图案化形成多条沟槽(40)，所述沟槽(40)的深度大于所述非晶硅层(35)的厚度，所述多条沟槽(40)将所述非晶硅层(35)分隔成多个相互独立的单元格(36)；

步骤S3、对所述非晶硅层(35)进行退火处理，使所述非晶硅层(35)结晶形成多晶硅层(30)；

步骤S4、对所述多晶硅层(30)进行图案化处理，每一单元格(36)对应形成一个有源层图案(31)。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述沟槽(40)的深度小于所述非晶硅层(35)与所述缓冲层(20)的总厚度，所述沟槽(40)的宽度为

3.如权利要求1所述的低温多晶硅基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述缓冲层(20)包括氮化硅层(21)及设于氮化硅层(21)上的氧化硅层(22)。

4.如权利要求3所述的低温多晶硅基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述沟槽(40)的深度大于所述非晶硅层(35)与所述氧化硅层(22)的总厚度，所述沟槽(40)在与衬底基板(10)垂直的方向上贯穿所述氧化硅层(22)。

5.如权利要求1所述的低温多晶硅基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，通过化学气相沉积法沉积形成所述缓冲层(20)和非晶硅层(35)。

6.如权利要求1所述的低温多晶硅基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，通过曝光蚀刻工艺在所述非晶硅层(35)和缓冲层(20)上图案化形成多条沟槽(40)。

7.如权利要求1所述的低温多晶硅基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述多条沟槽(40)包括多条相互平行的横向槽(41)以及多条与横向槽(41)垂直交叉的纵向槽(42)。

8.一种低温多晶硅基板，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的缓冲层(20)及设于所述缓冲层(20)上的多晶硅层(30)；

所述多晶硅层(30)包括多个相互独立的有源层图案(31)；

所述多晶硅层(30)由非晶硅层(35)经过退火处理后结晶形成；

在所述非晶硅层(35)进行退火处理以结晶形成多晶硅层(30)之前，所述非晶硅层(35)和缓冲层(20)上设有多条沟槽(40)，所述沟槽(40)的深度大于所述非晶硅层(35)的厚度，所述多条沟槽(40)将所述非晶硅层(35)分隔成多个与所述有源层图案(31)一一对应且相互独立的单元格(36)。

9.如权利要求8所述的低温多晶硅基板，其特征在于，所述沟槽(40)的深度小于所述非晶硅层(35)与所述缓冲层(20)的总厚度，所述沟槽(40)的宽度为

10.如权利要求8所述的低温多晶硅基板，其特征在于，所述缓冲层(20)包括氮化硅层(21)及设于氮化硅层(21)上的氧化硅层(22)；

所述沟槽(40)的深度大于所述非晶硅层(35)与所述氧化硅层(22)的总厚度，所述沟槽(40)在与衬底基板(10)垂直的方向上贯穿所述氧化硅层(22)。