[发明专利]一种有机电致发光显示面板在审
申请号: | 201910996081.8 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN110828512A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 袁晓敏;蒋志亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30;G09F9/33 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;冯建基 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 显示 面板 | ||
本发明提供一种有机电致发光显示面板。该显示面板包括平面显示区和曲面显示区,平面显示区和曲面显示区内均设置有不同颜色的子像素,平面显示区内,不同颜色子像素的出光面积相同,曲面显示区内,随曲面显示区的弯折,至少一种颜色的光线衰减较快的子像素的出光面积大于光线衰减最慢的颜色的子像素的出光面积,以改善曲面显示区内的显示色偏。该显示面板,通过调整曲面显示区内随其弯折,至少一种颜色的光线衰减较快的子像素的出光面积大于光线衰减最慢的颜色的子像素的出光面积,能够改善或消除曲面显示区在显示时的色偏现象,特别是对有机电致发光显示面板显示白色画面时出现的严重黄色色偏有明显改善,提升了有机电致发光显示面板的显示效果。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种有机电致发光显示面板。
背景技术
有机电致发光器件由于其具有自发光、广视角(达175°以上)、短反应时间(1μs)、高发光效率、广色域、低工作电压(3-10V)、面板薄(厚度可小于1μm)、可制作大尺寸与可挠曲的面板及制程简单等特性,成为国内外非常热门的新兴平面显示器产品。随着OLED柔性面板技术的进步,各大厂家不断提升面板的弯折特性,进而产生了各种弯折边缘的显示屏。
然而,由于OLED显示面板弯折区的发光层以上的部材对红、绿、蓝三色显示光线的吸收能力不同,导致OLED显示面板的出光效率也不相同。并且随着OLED显示面板封装盖板的边缘弯折角度增大和弯折半径的减小,OLED显示面板在边缘弯折区的色偏逐渐加重,会有严重的色偏产生,通常为黄色色偏,特别当OLED显示面板显示白色画面时,色偏更为严重,严重影响显示效果。
发明内容
本发明针对现有技术中OLED显示面板弯折区色偏影响显示效果的问题,提供一种有机电致发光显示面板。该显示面板能够改善或消除曲面显示区在显示时的色偏现象,特别是对有机电致发光显示面板显示白色画面时出现的严重黄色色偏有明显的改善,从而提升了有机电致发光显示面板的显示效果。
本发明提供一种有机电致发光显示面板,包括平面显示区和曲面显示区,所述平面显示区和所述曲面显示区内均设置有不同颜色的子像素,所述平面显示区内,不同颜色子像素的出光面积相同,所述曲面显示区内,随所述曲面显示区的弯折,至少一种颜色的光线衰减较快的子像素的出光面积大于光线衰减最慢的颜色的子像素的出光面积,以改善所述曲面显示区内的显示色偏。
优选的,子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,
在所述曲面显示区内,所述红色子像素与所述绿色子像素的出光面积相同且其出光面积等于所述平面显示区内的子像素的出光面积;所述蓝色子像素的出光面积大于所述红色子像素的出光面积。
优选的,所述蓝色子像素的出光面积比所述红色子像素的出光面积大8%-20%。
优选的,所述蓝色子像素的出光面积比所述红色子像素的出光面积大10%。
优选的,所述蓝色子像素的出光面积随所述曲面显示区弯折半径的减小而线性增大。
优选的,子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,
在所述曲面显示区内,所述红色子像素的出光面积等于所述平面显示区内的子像素的出光面积,所述绿色子像素的出光面积大于所述红色子像素的出光面积;所述蓝色子像素的出光面积大于所述绿色子像素的出光面积。
优选的,所述绿色子像素的出光面积比所述红色子像素的出光面积大5%-8%,所述蓝色子像素的出光面积比所述红色子像素的出光面积大8%-15%。
优选的,所述绿色子像素的出光面积比所述红色子像素的出光面积大5%,所述蓝色子像素的出光面积比所述红色子像素的出光面积大8%。
优选的,所述平面显示区和所述曲面显示区内的不同颜色子像素的形状和排布均相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的