[发明专利]一种发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

透明衬底，该透明衬底具备第一表面； 发光构造体，包括在透明衬底的第一表面依次堆叠的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层； 绝缘介质层一，覆盖所述发光构造体的顶表面以及侧壁，具有第一开口和第二开口；

绝缘介质层二，覆盖所述发光构造体周围露出的透明衬底的第一表面；

第一电极和第二电极，分别通过所述第一开口和第二开口与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接；

绝缘介质层一覆盖在第二导电型半导体层的顶表面的部分比绝缘介质层二的透光性低。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层二和绝缘介质层一为相同的材料，为同一镀膜工艺获得，且通过减薄工艺得到绝缘介质层二，所述绝缘介质层一的厚度高于所述绝缘介质层二的厚度。

3.根据权利要求2所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层的材料为SiO₂，SiNx或Al₂O₃ 。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层一覆盖在第二导电型半导体层的顶表面，为绝缘反射层，几何厚度为2kλ/4n，k为正整数，λ为发光层的发光波长，n为材料折射率。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层二为绝缘透光层，几何厚度为(2k-1)λ/4n，k为正整数，λ为发光层的发光波长，n为材料折射率。

6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层一的材料不同于绝缘介质层二，通过不同镀膜步骤获得。

7.根据权利要求6所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层一的材料为高、低折射率材料交替层叠的分布布拉格反射层。

8.根据权利要求7所述的一种发光二极管，其特征在于，所述低折射率材料为SiO_x或MgF_x，高折射率材料为TiO₂或Ti₂O₅。

9.根据权利要求6所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层二为单层的绝缘介质层。

10.根据权利要求9所述的一种发光二极管，其特征在于，绝缘介质层二为绝缘透光层，材料为SiO₂，SiNx或Al₂O₃。

11.根据权利要求9所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层二的几何厚度为(2k-1)λ/4n，k为正整数，λ为发光层的发光波长，n为材料折射率。

12.根据权利要求6所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层二包括一部分位于所述第二导电型半导体层的顶表面和所述绝缘介质层一之间。

13.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层二在厚度方向上与所述绝缘介质层一不重叠。

14.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层一覆盖在第二导电型半导体层顶表面的厚度不同于覆盖在发光构造体侧壁的厚度。

15.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层一覆盖在发光构造体侧壁的厚度为覆盖在第二导电型半导体层顶表面的厚度的40%~90%。