[发明专利]基于SOT效应的物理不可克隆函数生成方法及系统有效
申请号: | 201910997447.3 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN110851882B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 游龙;张建;张帅;曹真;李若凡;洪正敏 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G06F21/73 | 分类号: | G06F21/73 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智;廖盈春 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 sot 效应 物理 不可 克隆 函数 生成 方法 系统 | ||
1.一种基于SOT效应的物理不可克隆函数生成方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)对Hall Bar阵列的所有器件进行初始化,并施加相同的写电流;
(2)根据给定的地址从所述阵列中任意选择N个器件,获取所述N个器件的反常霍尔电阻;
(3)将所述N个器件的反常霍尔电阻进行两两比较,根据比较结果生成响应,所述响应即为物理不可克隆函数的响应;
所述步骤(1)包括:
对所有的器件施加一个初始化电流,并在电流方向上施加一个恒定的平面磁场,初始化完成后,对所有器件施加一个相同的写电流,使所有器件都处于一个稳定的中间态。
2.如权利要求1所述的物理不可克隆函数生成方法,其特征在于,所述HallBar阵列采用经过光刻、刻蚀工艺制作的同一批器件构建。
3.如权利要求2所述的物理不可克隆函数生成方法,其特征在于,所述步骤(2)包括:
根据给定行和列的地址从所述阵列中任意选择N个器件,对选定器件的所在行通入读电流,并读取反常霍尔电压,进而获取所述N个器件的反常霍尔电阻值。
4.如权利要求1所述的物理不可克隆函数生成方法,其特征在于,还包括:
改变初始化电流和写电流的大小,使所有器件的初始态处于与所述步骤(1)不同的阻态。
5.一种基于SOT效应的物理不可克隆函数生成系统,包括:
电流施加模块,对Hall Bar阵列的所有器件进行初始化,并施加相同的写电流;
选择模块,用于根据给定的地址从所述阵列中任意选择N个器件,获取所述N个器件的反常霍尔电阻;
比较模块,用于将所述N个器件的反常霍尔电阻进行两两比较,根据比较结果生成响应,所述响应即为物理不可克隆函数的响应;
所述电流施加模块对所有的器件施加一个初始化电流,并在电流方向上施加一个恒定的平面磁场,初始化完成后,对所有器件施加一个相同的写电流,使所有器件都处于一个稳定的中间态。
6.如权利要求5所述的物理不可克隆函数生成系统,其特征在于,所述HallBar阵列的组成单元是经过光刻、刻蚀工艺制作的同一批器件。
7.如权利要求5所述的物理不可克隆函数生成系统,其特征在于,所述选择模块根据给定行和列的地址从所述阵列中任意选择N个器件,对选定器件的所在行通入读电流,并读取反常霍尔电压,进而获取所述N个器件的反常霍尔电阻值。
8.如权利要求7所述的物理不可克隆函数生成系统,其特征在于,还包括:
重构模块,用于改变初始化电流和写电流的大小,使所有器件的初始态处于与上一次初始化不同的阻态。
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