[发明专利]振荡器

权利要求书

1.振荡器，其特征在于：包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第一PMOS

管、第二PMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管、第一电容、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第二电容、第六PMOS管、第七PMOS管、第一比较器、第一反相器和第二反相器；

所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF1，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第一电阻的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻的一端；所述第一电阻的一端接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一NMOS管的源极，另一端接地；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的源极和所述第一比较器的正输入端和所述第六PMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端和所述第七PMOS管的栅极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一电容的一端，源极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一比较器的正输入端和所述第六PMOS管的漏极；所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一电容的一端，源极接地；所述第一电容的一端接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极，另一端接地；所述第四PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极所述第五PMOS管的源极和所述第一比较器的负输入端和所述第七PMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第五PMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极和所述第二反相器的输出端和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第三NMOS管的漏极和所述第二电容的一端，源极接所述第四PMOS管的漏极和所述第七PMOS管的漏极和所述第一比较器的负输入端；所述第三NMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和所述第二反相器的输出端和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第五PMOS管的漏极和所述第二电容的一端，源极接地；所述第二电容的一端接所述第五PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极，另一端接地；所述第一比较器的正输入端接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的源极和所述第六PMOS管的漏极，负输入端接所述第四PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的源极和所述第七PMOS管的漏极，输出端接所述第一反相器的输入端；所述第一反相器的输入端接所述第一比较器的输出端，输出端接所述第二反相器的输入端和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极；所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极，输出端接所述第五PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT。