[发明专利]一种三态门在审

专利信息
申请号: 201910997676.5 申请日: 2019-10-21
公开(公告)号: CN110830031A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 孙殷 申请(专利权)人: 杭州展虹科技有限公司
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20;H03K19/094
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310012 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 三态
【说明书】:

发明公开了一种三态门。一种三态门包括第一反相器、第一与非门、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第一NMOS管和第二NMOS管。利用本发明提供的三态门可以使得电路的复杂性降低和稳定性提升。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及到三态门。

背景技术

三态门在集成电路中应用广泛,电路的复杂性和稳定性直接影响到芯片成本和性能。

发明内容

本发明旨在解决现有技术的不足,提供一种三态门。

一种三态门,包括第一反相器、第一与非门、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第一NMOS管和第二NMOS管:

所述第一反相器的输入端接输入端A,输出端接所述第一与非门的一输入端;所述第一与非门的一输入端接所述第一反相器的输出端,另一输入端接所述第三反相器的输出端和所述第四反相器的输入端,输出端接所述第二反相器的输入端;所述第二反相器的输入端接所述第一与非门的输出端,输出端接所述第一NMOS管的栅极;所述第三反相器的输入端接输入端B,输出端接所述第四反相器的输入端和所述第一与非门的一输入端;所述第四反相器的输入端接所述第三反相器的输出端和所述第一与非门的一输入端,输出端接所述第二NMOS管的栅极; 所述第一NMOS管的栅极接所述第二反相器的输出端,漏极接电源电压VCC,源极接所述第二NMOS管的漏极并作为三态门的输出端OUT;所述第二NMOS管的栅极接所述第四反相器的输出端,漏极接所述第一NMOS管的源极并作为三态门的输出端OUT,源极接地。

当三态门的输入端A为低电平时,输入端B为低电平时,所述第一NMOS管的栅极为高电平,所述第二NMOS管的栅极为低电平,三态门的输出端OUT为高电平;当三态门的输入端A为低电平时,输入端B为高电平时,所述第一NMOS管的栅极为低电平,所述第二NMOS管的栅极为高电平,三态门的输出端OUT为低电平;三态门的输入端A为高电平时,输入端B为低电平时,所述第一NMOS管的栅极为低电平,所述第二NMOS管的栅极为低电平,三态门的输出端OUT为高阻态;三态门的输入端A为高电平时,输入端B为高电平时,所述第一NMOS管的栅极为低电平,所述第二NMOS管的栅极为高电平,三态门的输出端OUT为低电平。

附图说明

图1为本发明的三态门的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明内容进一步说明。

一种三态门,如图1所示,包括第一反相器10、第一与非门20、第二反相器30、第三反相器40、第四反相器50、第一NMOS管60和第二NMOS管70:

所述第一反相器10的输入端接输入端A,输出端接所述第一与非门20的一输入端;所述第一与非门20的一输入端接所述第一反相器10的输出端,另一输入端接所述第三反相器40的输出端和所述第四反相器50的输入端,输出端接所述第二反相器30的输入端;所述第二反相器30的输入端接所述第一与非门20的输出端,输出端接所述第一NMOS管60的栅极;所述第三反相器40的输入端接输入端B,输出端接所述第四反相器50的输入端和所述第一与非门20的一输入端;所述第四反相器50的输入端接所述第三反相器40的输出端和所述第一与非门20的一输入端,输出端接所述第二NMOS管70的栅极;所述第一NMOS管60的栅极接所述第二反相器30的输出端,漏极接电源电压VCC,源极接所述第二NMOS管70的漏极并作为三态门的输出端OUT;所述第二NMOS管70的栅极接所述第四反相器50的输出端,漏极接所述第一NMOS管60的源极并作为三态门的输出端OUT,源极接地。

当三态门的输入端A为低电平时,输入端B为低电平时,所述第一NMOS管60的栅极为高电平,所述第二NMOS管70的栅极为低电平,三态门的输出端OUT为高电平;当三态门的输入端A为低电平时,输入端B为高电平时,所述第一NMOS管60的栅极为低电平,所述第二NMOS管70的栅极为高电平,三态门的输出端OUT为低电平;三态门的输入端A为高电平时,输入端B为低电平时,所述第一NMOS管60的栅极为低电平,所述第二NMOS管70的栅极为低电平,三态门的输出端OUT为高阻态;三态门的输入端A为高电平时,输入端B为高电平时,所述第一NMOS管60的栅极为低电平,所述第二NMOS管70的栅极为高电平,三态门的输出端OUT为低电平。

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