[发明专利]一种镜片沉积金刚石薄膜的装置及方法在审
申请号: | 201910997769.8 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN110607514A | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 王晋峰 | 申请(专利权)人: | 南京爱思菲瑞克光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/517;C23C16/02;C23C16/455 |
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地址: | 210046 江苏省南京市栖霞区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体发生器 反应室 加热板 电源 镀膜 辉光放电等离子体 沉积金刚石薄膜 化学气相沉积 稳定等离子体 样品制备工艺 反应室顶部 顶部设置 附着性能 基片表面 镜片镀膜 电容式 均匀性 排气阀 真空计 中高温 镜片 阀门 活化 射频 沉积 洁净 | ||
1.一种镜片沉积金刚石薄膜的装置,包括反应室(1)、等离子体发生器(2)、流量计(3)、一号阀门(4)、氩气瓶(5)、二号阀门(6)、甲烷气体瓶(7)、三号阀门(8)、真空泵(9)、排气阀(10)、真空计(11)、基片(12)、加热板(13)、电源(14),其特征在于:所述反应室(1)两侧安装有真空计(11)和三号阀门(8),所述三号阀门(8)与真空泵(9)通过导管相连,所述反应室(1)底部固定安装有排气阀(10)和加热板(13),所述加热板(13)顶部设置有基片(12),所述加热板(13)底部与电源(14)通过导线相连,所述电源(14)与等离子体发生器(2)通过导线相连,所述等离子体发生器(2)固定安装在反应室(1)顶部,所述等离子体发生器(2)与流量计(3)通过导管相连,所述流量计(3)通过导管相连分别与一号阀门(4)和二号阀门(6)相连,所述一号阀门(4)与氩气瓶(5)通过导管相连,所述二号阀门(6)与甲烷气体瓶(7)通过导管相连。
2.根据权利要求1所述的一种镜片沉积金刚石薄膜的装置,其特征在于:所述等离子体发生器(2)还包括箱体(201)、导线口(202)、导管口(203)内电极板(204)、垫圈(205)、外电极板(206)、均流板(207),箱体(201)顶部设置有导线口(202),箱体(201)一侧设置有导管口(203),箱体(201)底部活动安装有内电极板(204),内电极板(204)与外电极板(206)之间设置有垫圈(205),箱体(201)内部设置有均流板(207)。
3.根据权利要求2所述的一种镜片沉积金刚石薄膜的装置,其特征在于:所述内电极板(204)、外电极板(206)以及均流板(207)分别设置有小圆孔,小圆孔个数为1到30个。
4.根据权利要求1所述的一种镜片沉积金刚石薄膜的装置,其特征在于:所述真空泵(9)还包括干泵(901)和分子泵(902),干泵(901)和分子泵(902)分别通过导管与三号阀门(8)相连。
5.根据权利要求1所述的一种镜片沉积金刚石薄膜的装置,其特征在于:所述电源(14)包括直流电源(1401)和射频电源(1402),直流电源(1401)通过导线分别与射频电源(1402)和加热板(13)相连,射频电源(1402)通过导线与等离子体发生器(2)相连。
6.一种镜片沉积金刚石薄膜的装置,其所述的方法,其特征在于:
(一)基片清洗烘干:将基片(12)放入碱液中浸泡30分钟,然后用蒸馏水进行清洗,接着再用去离子水超声波清洗30分钟,然后在50℃烘箱烘干十二小时。
(二)基片表面清洁活化:将烘干后的基片(12)放入加热板(13)上,开启加热板(13)进行加热,加热温度在200℃-400℃,然后开启射频电源(1402)和一号阀门(4),控制氩气流速为100ml/min,氩气通过内电极板(204)和外电极板(206)后形成氩等离子体,用氩等离子体轰击基片(12)十分钟,清洁基片表面的杂质和水分,并使基片表面达到活化目的。
(三)样品制备:关闭一号阀门(4)打开三号阀门(8),开启真空泵(9),将反应室(1)抽真空,然后打开一号阀门(4),控制氩气流速为100ml/min,氩气通过等离子体发生器(2)后形成等离子体,等离子体均匀分布在反应室(1)内,接着再打开二号阀门(6),控制甲烷流速为40ml/min,使甲烷气体进入反应室(1)开始沉积,沉积80-100分钟后,依次关闭二号阀门(6)、一号阀门(4)以及三号阀门(8),再打开排气阀(10),使反应室(1)与大气联通,最后关闭电源,取出样品。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的