[发明专利]金属布局技术

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供用于集成电路的金属布局，其中所述金属布局包括与位线相关联的多条线；

在所述多条线和所述位线之间插入至少一条附加线；以及

相对于所述多条线和所述位线布置所述至少一条附加线，以减小与所述位线相关联的电容。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多条线包括金属线，所述金属线提供与以下中的至少一个相关联的导电路径：高电源(VCC/VDD)、低电源(VSS)和一条或多条字线(WL)或所述一条或多条字线的部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多条线具有可变的线宽和/或所述多条线之间具有可变的间隔。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述位线是指互补位线，所述互补位线包括第一位线和与所述第一位线互补的第二位线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一条附加线包括每条位线至少一条附加浮线。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一条附加线是指每条位线至少一条附加辅助线。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一条附加线包括至少一条辅助线，所述至少一条辅助线被设置在所述位线之上或之下。

8.一种方法，包括：

提供用于集成电路的金属布局，其中所述金属布局包括多条线和与位线相关联的至少一条附加线，其中所述至少一条附加线设置在所述多条线与所述位线之间；

将所述位线和所述至少一条附加线从低电压状态预充电到高电压状态；以及

通过以下操作来经由所述位线写入位单元：使用位线驱动器将所述位线中的一条位线驱动至低电压状态，将所述位线驱动器去耦，然后将所述至少一条附加线驱动至低电压状态，其中所述至少一条附加线对应于所述一条位线。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多条线包括金属线，所述金属线提供与以下中的至少一个相关联的导电路径：高电源(VCC/VDD)、低电源(VSS)和一条或多条字线(WL)或所述一条或多条字线的部分。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多条线具有可变的线宽和/或所述多条线之间具有可变的间隔。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，在将所述一条或多条附加线驱动至所述低电压状态之前，将所述位线驱动器去耦。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述至少一条附加线是指每条位线至少一条附加辅助线。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述至少一条附加线包括每条位线至少一条浮置辅助线，并且其中，所述至少一条浮置辅助线被设置在所述位线之上或之下。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，所述位单元包括具有多个晶体管的随机存取存储器RAM单元，所述随机存取存储器RAM单元被布置为存储与所述低电压状态和所述高电压状态有关的多个逻辑状态。

15.一种方法，包括：

提供金属布局，所述金属布局具有多条线和与互补位线相关联的一条或多条浮置辅助线，其中，所述一条或多条浮置辅助线设置在所述多条线与所述互补位线之间；

在写入操作期间，将所述互补位线中的一条互补位线和所述一条或多条浮置辅助线从低电压状态预充电到高电压状态；

在对所述互补位线中的一条互补位线进行预充电之后，通过以下操作来经由所述互补位线写入位单元：使用位线驱动器将互补位线中的一条互补位线驱动至低电压状态，将所述位线驱动器去耦，然后将所述一条或多条浮置辅助线驱动至低电压状态。