[发明专利]提高闪存擦写寿命的方法和装置

说明书

本发明提供了提高闪存擦写寿命的方法和装置，包括：获取闪存的存储容量，根据闪存的存储容量将数据存储区域划分为第一存储区域和第二存储区域；获取数据信息，并将数据信息写入数据缓存区域；将写入数据缓存区域中的数据信息分别写入第一存储区域和第二存储区域，以及将第一存储区域中的多个第一物理块已存储的数据信息和第二存储区域中的多个第二物理块已存储的数据信息通过磨损均衡算法进行擦除；其中，第一存储区域为用户看得见的区域，第二存储区域为用户看不见的区域，第一存储区域的存储容量与第二存储区域的存储容量相同，磨损均衡算法为使每个第一物理块的擦除次数和每个第二物理块的擦除次数达到均衡，从而提高闪存的擦写寿命。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，尤其是涉及提高闪存擦写寿命的方法和装置。

背景技术

快闪存储器(Flash memory)简称闪存，闪存是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写。由于闪存具有非易失性的特点，即在断电后仍能长期保存数据。闪存具有容量大、速度快、体积小、功耗小和成本低等优点，从而使闪存的应用越来越广泛。

闪存包括NAND(Not AND，与非)闪存，NAND闪存从最初的SLC(Single-Level Cell，单层单元)闪存向MLC(Multi-Level Cell，多层单元)闪存、TLC(Triple-Level Cell，三层单元)闪存和QLC(Quad-Level Cell，四层单元)闪存演变，在演变过程中，单元存储密度从1bit向2bit、3bit……nbit递增，但是擦写次数不断递减，从100000次向5000次、1000次和500次依次递减。

因此，闪存在发展过程中，虽然存储容量增加，但是擦写次数在减少，从而导致闪存的寿命缩短。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供提高闪存擦写寿命的方法和装置，从而提高闪存的擦写寿命。

第一方面，本发明实施例提供了提高闪存擦写寿命的方法，闪存包括数据缓存区域和数据存储区域，所述方法包括：

获取闪存的存储容量，根据所述闪存的存储容量将所述数据存储区域划分为第一存储区域和第二存储区域；

获取数据信息，并将所述数据信息写入所述数据缓存区域；

将写入所述数据缓存区域中的数据信息分别写入所述第一存储区域和所述第二存储区域，以及将所述第一存储区域中的多个第一物理块已存储的数据信息和所述第二存储区域中的多个第二物理块已存储的数据信息通过磨损均衡算法进行擦除；

其中，所述第一存储区域为用户看得见的区域，所述第二存储区域为所述用户看不见的区域，所述第一存储区域的存储容量与所述第二存储区域的存储容量相同，所述磨损均衡算法为使每个所述第一物理块的擦除次数和每个所述第二物理块的擦除次数达到均衡。

进一步的，所述将所述第一存储区域中的多个第一物理块已存储的数据信息和所述第二存储区域中的多个第二物理块已存储的数据信息通过磨损均衡算法进行擦除，包括：

在预设周期内检测每个所述第一物理块的擦除次数和每个所述第二物理块的擦除次数；

根据每个所述第一物理块的擦除次数和每个所述第二物理块的擦除次数筛选出所述擦除次数小于预设次数的物理块，并将所述擦除次数小于预设次数的物理块作为擦除物理块，对所述擦除物理块上的数据信息进行擦除。

进一步的，所述将所述第一存储区域中的多个第一物理块已存储的数据信息和所述第二存储区域中的多个第二物理块已存储的数据信息通过磨损均衡算法进行擦除，包括：

从所述多个第一物理块和所述多个第二物理块中选取任一尚未标记的物理块作为当前物理块，并且标记所述当前物理块和获取所述当前物理块的擦除次数；