[发明专利]顶电极互连结构

权利要求书

1.一种结构，包括：

下金属化特征；

上金属化特征；

与所述下金属化特征直接接触的底电极；

位于所述底电极之上的一种或多种开关材料；

位于所述一种或多种开关材料之上的顶电极；以及

与所述顶电极和所述上金属化特征接触的自对准过孔互连。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述结构是存储器件。

3.根据权利要求2所述的结构，其中所述存储器件是RRAM(电阻式RAM)、PRAM(相变RAM)或MRAM(磁性RAM)。

4.根据权利要求2所述的结构，进一步包括外围器件或逻辑器件，所述外围器件或逻辑器件包括通过没有任何介于中间的材料的互连结构而被连接在一起的所述下金属化特征和所述上金属化特征。

5.根据权利要求1所述的结构，其中所述自对准过孔互连位于暴露所述顶电极的自形成自对准过孔中。

6.根据权利要求5所述的结构，进一步包括间隔物材料，所述间隔物材料限定所述自形成自对准过孔并围绕所述自对准过孔互连。

7.根据权利要求5所述的结构，进一步包括衬里材料，所述衬里材料限定所述自形成自对准过孔并围绕所述顶电极、所述一种或多种开关材料、所述底电极和所述自对准过孔互连。

8.根据权利要求7所述的结构，进一步包括位于所述衬里材料的内侧上的间隔物材料，所述间隔物材料限定所述自形成自对准过孔并围绕所述自对准过孔互连。

9.根据权利要求1所述的结构，其中所述顶电极由一种或多种导电材料形成，所述导电材料包括：TiN、TaN、WN、Al、Ru、Ir、Pt、Ag、Au、Co、W、Cu或它们的多层膜组合。

10.根据权利要求1所述的结构，其中所述底电极、所述一种或多种开关材料、所述顶电极和所述自对准过孔互连具有垂直对准的侧壁，从而形成垂直柱结构。

11.一种结构，包括：

存储器件，其包括：

第一金属化层；

第二金属化层；以及

将所述第一金属化层连接到所述第二金属化层的垂直柱，所述垂直柱包括与所述垂直柱的顶电极和所述第二金属化层接触的自对准过孔互连；以及

外围器件或逻辑器件，所述外围器件或逻辑器件包括通过没有所述自对准过孔互连和所述垂直柱的互连结构而被连接在一起的所述下金属化特征和所述上金属化特征。

12.根据权利要求11所述的结构，其中所述存储器件是RRAM(电阻式RAM)、PRAM(相变RAM)或MRAM(磁性RAM)。

13.根据权利要求11所述的结构，其中所述自对准过孔互连位于暴露所述顶电极的自形成自对准过孔中。

14.根据权利要求13所述的结构，进一步包括间隔物材料，所述间隔物材料限定所述自形成自对准过孔并围绕所述自对准过孔互连。

15.根据权利要求13所述的结构，其中所述垂直柱在所述自形成自对准过孔处具有比所述顶电极更窄的横截面。

16.根据权利要求14所述的结构，进一步包括衬里材料，所述衬里材料限定所述自形成自对准过孔并围绕所述垂直柱和所述自对准过孔互连。

17.根据权利要求11所述的结构，其中所述垂直柱和所述自对准过孔互连具有垂直对准的侧壁，从而形成垂直柱结构。