[发明专利]一种自支持SnO2 有效
| 申请号： | 201910998585.3 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110697763B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 赵鹤云;万文静 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;G01N27/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市盈科律师事务所 11344 | 代理人： | 罗东 |
| 地址： | 650091*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 支持 sno base sub | ||
1.自支持SnO2纳米棒有序阵列材料的制备方法，其特征在于，自支持SnO2纳米棒有序阵列材料，SnO2纳米棒直径为6~50nm，长度为100~800 nm；自支持SnO2纳米棒有序阵列材料中掺杂有贵金属或稀土金属；
制备方法具体步骤如下：
（1）以SnCl4.5H2O为锡源，将SnCl4.5H2O加入到硝酸溶液中，在搅拌条件下反应20~30min得到溶液A；
（2）以尿素CO(NH2)2为燃料，将尿素CO(NH2)2加入到步骤（1）溶液A中，在搅拌条件下反应20~30min得到溶液B；
（3）将棉纤维加入到步骤（2）溶液B中混合均匀得到反应前驱体；
（4）将步骤（3）反应前驱体匀速升温至温度为500~800℃，恒温反应30~120min，冷却至室温即得自支持SnO2纳米棒有序阵列材料；
步骤（3）还包括在前驱体溶液中加入贵金属盐或稀土金属盐。
2.根据权利要求1所述自支持SnO2纳米棒有序阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）硝酸溶液的浓度为 1.0~4.0 mol/L，SnCl4浓度为0.1~1.0 mol/L，搅拌速度为200~600r/min。
3.根据权利要求1所述自支持SnO2纳米棒有序阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）尿素CO(NH2)2浓度为0.1~2.2 mol/L，搅拌速度为200~600 r/min。
4.根据权利要求1或3所述自支持SnO2纳米棒有序阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）棉纤维的加入量为 2~35 g/L。
5.根据权利要求1所述自支持SnO2纳米棒有序阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（4）匀速升温的速率为1~10℃/min。
6.权利要求1所述制备方法制备的自支持SnO2纳米棒有序阵列材料在制备气体传感器中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南大学，未经云南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910998585.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种中空结构Sn/SnO
- 下一篇：氟化亚锡的制备方法
- 碳涂覆的阳极材料
- 一种SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>复合压敏陶瓷及制备方法
- 一种La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法
- 一种La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法
- Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>/SnO<sub>2</sub>复合纳米结构、其制备方法及用途
- 一种SnO<sub>2</sub>纳米线阵列的制备方法
- 异质结二氧化锡气敏材料的制备方法及其产品和应用
- 分级结构的SnO2气敏材料及其制备方法
- 一种山茶花状ZnO/SnO-SnO<base:Sub>2
- 低电阻率Ag/SnO2电工触头材料及其制备
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
