[发明专利]互连结构及其形成方法

权利要求书

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底中形成有金属层；

在所述衬底上形成介质层，所述介质层中具有开口，所述开口暴露所述金属层；

在所述开口的侧壁形成非晶硅层，且所述非晶硅层暴露出金属层表面；

以所述金属层为生长基质，在所述开口内形成导电连接层；以及

形成所述导电连接层之后，进行退火处理，使所述非晶硅层与所述导电连接层的侧壁表面的材料反应以形成硅化物粘附层。

2.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的温度为400℃至600℃。

3.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的退火时间为5分钟至10分钟。

4.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，形成所述非晶硅层的步骤包括：

在所述开口的侧壁和底部形成非晶硅材料层；以及

去除所述开口底部的所述非晶硅材料层以形成所述非晶硅层。

5.如权利要求4所述的互连结构形成方法，其特征在于，形成所述非晶硅材料层的工艺为物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺。

6.如权利要求4所述的互连结构的形成方法，其特征在于，去除所述开口底部的所述非晶硅材料层的工艺为：对位于所述开口底部的所述非晶硅材料层进行离子轰击。

7.如权利要求6所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述离子轰击采用的离子为惰性气体离子，所述惰性气体离子包括Ar离子。

8.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在形成所述非晶硅层的步骤中，所述非晶硅层与所述介质层接触；形成所述硅化物粘附层之后，所述硅化物粘附层与所述介质层接触。

9.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述导电连接层的材料包括钨，所述硅化物粘附层的材料包括硅化钨。

10.如权利要求1所述的互连结构形成方法，其特征在于，形成所述导电连接层的工艺为选择性化学气相沉积工艺。

11.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述非晶硅层的厚度为1纳米至3纳米。

12.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述硅化物粘附层的厚度为1纳米至5纳米。

13.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述导电连接层的材料包括钴或钨。

14.一种互连结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中具有金属层；

位于所述衬底上的介质层，所述介质层中具有贯穿所述介质层的开口；

位于所述开口中的导电连接层，所述导电连接层的底部表面与所述金属层接触；以及

硅化物粘附层，所述硅化物粘附层位于所述导电连接层和所述介质层之间且与所述导电连接层的侧壁接触。

15.如权利要求14所述的互连结构，其特征在于，所述导电连接层的材料包括钨，所述硅化物粘附层的材料包括硅化钨。

16.如权利要求14所述的互连结构，其特征在于，所述硅化物粘附层的厚度为1纳米至5纳米。

17.如权利要求14所述的互连结构，其特征在于，所述硅化物粘附层与所述介质层接触。