[发明专利]固态成像器件在审
| 申请号： | 201910999454.7 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN110957338A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 纳土晋一郎;大塚洋一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李晗;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 成像 器件 | ||
1.一种含有相位差检测像素和多个成像像素的固态成像器件，所述成像像素以矩阵构造二维地布置，所述相位差检测像素分散地布置在所述成像像素之间，所述固态成像器件包括：
第一微透镜，所述第一微透镜对应于各所述成像像素而形成；
平坦化膜，所述平坦化膜的折射率比所述第一微透镜的折射率更低并且所述平坦化膜形成在所述第一微透镜上；和
第二微透镜，所述第二微透镜仅形成在所述相位差检测像素的所述平坦化膜上。
2.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，
所述第一微透镜也形成在所述相位差检测像素中。
3.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，
所述平坦化膜的折射率被设定为1.5或以下且所述第一微透镜和所述第二微透镜的折射率被设定为1.4或以上。
4.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，
所述第二微透镜具有与所述平坦化膜相同的成分。
5.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，
所述平坦化膜是通过将氟或中空硅添加至基于丙烯酸的树脂或基于硅氧烷的树脂中而形成的。
6.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，
所述第一微透镜和所述第二微透镜是由包括基于苯乙烯的树脂、基于丙烯酸的树脂、基于苯丙共聚物的树脂或基于硅氧烷的树脂的有机材料制成的。
7.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，
所述第一微透镜和所述第二微透镜是由有机-无机混合材料制成的，其中，TiO微粒被分散在基于苯乙烯的树脂、基于丙烯酸的树脂、基于苯丙共聚物的树脂、基于硅氧烷的树脂或聚酰亚胺树脂中。
8.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，
所述第一微透镜和所述第二微透镜是由基于SiN或基于SiON的无机材料制成的。
9.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，
在所述平坦化膜中在所述相位差像素与所述成像像素之间的边界部形成有遮光壁。
10.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，
受光面侧的空隙被密封玻璃和密封树脂密封。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
