[发明专利]电致发光显示装置有效
申请号: | 201910999907.6 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN111106142B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 金英美;尹优览 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/08;H10K59/12;H10K50/13;H10K59/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 马芸莎;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 显示装置 | ||
1.一种电致发光显示装置,该电致发光显示装置包括:
基板,该基板包括第一子像素和第二子像素;
第一电极,该第一电极位于所述基板的第一子像素和第二子像素中的每一个中;
栅栏结构,该栅栏结构位于所述第一子像素的第一电极与所述第二子像素的第一电极之间;
发光层,该发光层位于所述第一电极和所述栅栏结构上;以及
第二电极,该第二电极位于所述发光层上,
其中,
所述栅栏结构包括:第一结构,该第一结构布置在第一方向上;第二结构,该第二结构在不同于所述第一方向的第二方向上从所述第一结构的一端延伸;以及第三结构,该第三结构在不同于所述第一方向的第三方向上从所述第一结构的另一端延伸,并且
所述发光层的至少一部分在与由所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构所限定的沟槽重叠的区域中断开。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述第一结构的上表面平行于所述基板。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述第一结构的下表面的高度与所述第一电极的下表面的高度相等。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述第二结构和所述第三结构被设置为面向彼此,并且空隙被设置在所述第二结构与所述第三结构之间的区域中。
5.根据权利要求4所述的电致发光显示装置,其中,所述第二结构沿着所述第一子像素中的第一电极的侧表面延伸到所述第一子像素中的第一电极的上表面的一部分,并且所述第三结构沿着所述第二子像素中的第一电极的侧表面延伸到所述第二子像素中的第一电极的上表面的一部分。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述沟槽被设置为不穿过所述栅栏结构。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,
所述发光层包括发出第一颜色的光的第一叠层、发出不同于所述第一颜色的第二颜色的光的第二叠层以及设置在所述第一叠层与所述第二叠层之间的电荷生成层,并且
所述第一叠层和所述电荷生成层在与所述沟槽重叠的区域中断开。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,该电致发光显示装置还包括:
透镜阵列,该透镜阵列与所述基板间隔开;以及
容纳壳体,该容纳壳体容纳所述基板和所述透镜阵列。
9.一种电致发光显示装置,该电致发光显示装置包括:
基板,该基板包括第一子像素和第二子像素;
第一电极,该第一电极位于所述基板的第一子像素和第二子像素中的每一个中;
分隔壁,该分隔壁位于所述第一子像素的第一电极与所述第二子像素的第一电极之间;
发光层,该发光层位于所述第一电极和所述分隔壁上;
第二电极,该第二电极位于所述发光层上;以及
第一沟槽和第二沟槽,该第一沟槽位于所述分隔壁与所述第一子像素的第一电极之间,该第二沟槽位于所述分隔壁与所述第二子像素的第一电极之间。
10.根据权利要求9所述的电致发光显示装置,其中,所述发光层的至少一部分在与所述第一沟槽重叠的区域和与所述第二沟槽重叠的区域中的至少一个中断开。
11.根据权利要求9所述的电致发光显示装置,该电致发光显示装置还包括位于所述第一子像素的第一电极与所述第二子像素的第一电极之间的栅栏结构,该栅栏结构设置在所述分隔壁上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的