[发明专利]一种多晶硅电阻的制作方法有效
| 申请号： | 201911000316.X | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110729402B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 卓红标;熊淑平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 电阻 制作方法 | ||
1.一种多晶硅电阻的制作方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供第一结构，所述第一结构上设有与其表面具有高度差的第二结构；所述第一结构为衬底；所述第二结构为隔离区；所述第一结构的表面低于所述第二结构的表面；
步骤二、形成一层覆盖所述第一、第二结构表面的介质层，在该介质层上形成多晶硅层；所述隔离区上方的所述介质层的高度高于所述衬底上方的介质层的高度；所述隔离区上方的所述多晶硅层的高度高于所述衬底上方的所述多晶硅层的高度；
步骤三、对所述多晶硅层进行第一次注入掺杂；
步骤四、在所述多晶硅层上形成一掩膜层；所述隔离区上方的所述掩膜层的高度高于所述衬底上方的所述掩膜层的高度，经过对所述掩膜层进行研磨平坦化后，得到表面平整的所述掩膜层；
步骤五、对所述多晶硅层进行第二次注入掺杂；
步骤六、去除所述掩膜层；
步骤七、刻蚀所述多晶硅层，形成位于所述第一结构上方和所述第二结构上方尺寸相同、阻值不同的多晶硅电阻。
2.根据权利要求1所述的多晶硅电阻的制作方法，其特征在于：步骤一中的所述第一结构上设有两个所述第二结构。
3.根据权利要求1所述的多晶硅电阻的制作方法，其特征在于：步骤三中的第一次注入掺杂和步骤五中的第二次注入掺杂的掺杂浓度相同。
4.根据权利要求1所述的多晶硅电阻的制作方法，其特征在于：步骤三中的第一次注入掺杂和步骤五中的第二次注入掺杂的掺杂浓度不同。
5.根据权利要求1所述的多晶硅电阻的制作方法，其特征在于：步骤一中的所述隔离区为二氧化硅材料。
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