[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一二极管，包括一阳极端以及一阴极端，其中上述阳极端耦接至一第一节点；

一金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一第一源极/漏极端、一第二源极/漏极端以及一第一栅极端，其中上述第一源极/漏极端耦接至上述阴极端，上述第一栅极端接收一第一控制电压；以及

一接面场效应晶体管，包括一第三源极/漏极端、一第四源极/漏极端以及一第二栅极端，其中上述第二栅极端接收一第二控制电压，上述第三源极/漏极端耦接至上述第二源极/漏极端，上述第四源极/漏极端耦接至一第二节点。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第二栅极端耦接至一接地端，当上述第一节点的电压超过上述第二节点的电压时，上述金属氧化物半导体场效应晶体管根据上述第一控制电压而导通，并且上述半导体装置将上述第一节点的电压提供至上述第二节点。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，当上述第一节点的电压不超过上述第二节点的电压时，上述金属氧化物半导体场效应晶体管根据上述第一控制电压而不导通，并且上述半导体装置将上述第一节点以及上述第二节点电性隔离。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一半导体基板，具有一第一导电型；

一埋层，具有一第二导电型；

一第一阱，具有上述第二导电型，且形成于上述埋层之上；

一第一掺杂区，具有上述第二导电型，且形成于上述第一阱之中；

一第二阱，具有上述第二导电型，且形成于上述埋层之上；

一第二掺杂区，具有上述第二导电型，且形成于上述第二阱之中，其中上述第二掺杂区电性连接至上述第一掺杂区；

一第三阱，具有上述第一导电型，形成于上述埋层之上且位于上述第一阱以及上述第二阱之间；

一第三掺杂区，具有上述第二导电型，且形成于上述第三阱中；以及

一第四掺杂区，具有上述第一导电型，且形成于上述第三阱中，其中上述第三掺杂区、上述第四掺杂区以及上述第三阱形成上述二极管。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，上述第三掺杂区为上述二极管的上述阴极端，上述第一掺杂区、上述第二掺杂区以及上述第四掺杂区为上述二极管的上述阳极端。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一第四阱，具有上述第一导电型，且形成于上述半导体基板之中；

一第五掺杂区，具有上述第二导电型，且形成于上述第四阱之中；

一第五阱，具有上述第二导电型，且形成于上述第四阱之中；

一第六掺杂区，具有上述第二导电型，且形成于上述第五阱之中；以及

一栅极结构，形成于上述第四阱以及上述第五掺杂区以及上述第六掺杂区之间，且位于上述第五阱的上方，其中上述栅极结构、上述第五掺杂区以及上述第六掺杂区分别形成上述金属氧化物半导体场效应晶体管。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，上述栅极结构、上述第五掺杂区以及上述第六掺杂区分别形成上述金属氧化物半导体场效应晶体管的上述第一栅极端、上述第一源极/漏极端以及上述第二源极/漏极端。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，上述第五掺杂区电性连接至上述第三掺杂区，上述栅极结构接收上述第一控制电压。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一第六阱，具有上述第二导电型，形成于上述半导体基板之中；

一第七掺杂区，具有上述第二导电型，形成于上述第六阱之中；以及

一第八掺杂区，具有上述第二导电型，形成于上述第六阱之中。