[发明专利]一种柔性电子器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911000927.4 申请日: 2019-10-21
公开(公告)号: CN111725149B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 常永伟;董业民;刘艳;吕凯 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/768
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;贾允
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 柔性 电子器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种柔性电子器件的制备方法,其特征在于,包括:

在电子器件的表面形成柔性基底(10);其中,所述电子器件包括衬底层(21)和延伸层(30),所述延伸层(30)设置在所述衬底层(21)上,所述柔性基底(10)设置在所述延伸层(30)远离所述衬底层(21)的表面上;

对所述衬底层(21)进行减薄处理;

刻蚀所述衬底层(21)和所述延伸层(30),在所述电子器件上形成隔离槽;

在所述隔离槽内填充柔性绝缘材料形成第一柔性隔离层(241);

所述制备方法还包括:刻蚀所述第一柔性隔离层(241)形成电极(22)引出孔,在所述电极(22)引出孔内沉积导电材料形成电极(22)。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在电子器件的表面形成柔性基底(10),包括:在所述电子器件的表面上沉积过渡层(11),在所述过渡层(11)上沉积所述柔性基底(10)。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:在所述衬底层(21)上沉积柔性绝缘材料形成第二柔性隔离层(242),所述第二柔性隔离层设置在所述衬底层(21)远离所述延伸层(30)的表面上。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:刻蚀所述第二柔性隔离层(242)形成接触孔,在所述接触孔内沉积导电材料形成背栅电极(23)。

5.一种柔性电子器件,其特征在于,所述柔性电子器件通过权利要求1-4任一项所述的柔性电子器件的制备方法制备得到;

所述柔性电子器件包括:柔性基底(10)和电子器件,

所述电子器件包括衬底层(21)和延伸层(30),所述延伸层(30)设置在所述衬底层(21)上;

所述柔性基底(10)设置在所述延伸层(30)远离所述衬底层(21)的表面上;

所述电子器件还包括电极(22),所述电极(22)一端设置在所述延伸层(30)内,另一端贯穿所述衬底层(21)设置。

6.根据权利要求5所述的柔性电子器件,其特征在于,所述电极(22)与所述延伸层(30)之间设有第一隔离槽,所述电极(22)与所述衬底层(21)之间设有第二隔离槽,所述第一隔离槽与所述第二隔离槽贯通。

7.根据权利要求6所述的柔性电子器件,其特征在于,所述第一隔离槽和所述第二隔离槽内设有柔性隔离层(24)。

8.根据权利要求7所述的柔性电子器件,其特征在于,所述电子器件为场效应晶体管,所述衬底层(21)上还设有背栅电极(23),所述背栅电极(23)设置在所述衬底层(21)远离所述柔性基底(10)的面上。

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