[发明专利]一种柔性电子器件及其制备方法有效
申请号: | 201911000927.4 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN111725149B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 常永伟;董业民;刘艳;吕凯 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/768 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;贾允 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 电子器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种柔性电子器件的制备方法,其特征在于,包括:
在电子器件的表面形成柔性基底(10);其中,所述电子器件包括衬底层(21)和延伸层(30),所述延伸层(30)设置在所述衬底层(21)上,所述柔性基底(10)设置在所述延伸层(30)远离所述衬底层(21)的表面上;
对所述衬底层(21)进行减薄处理;
刻蚀所述衬底层(21)和所述延伸层(30),在所述电子器件上形成隔离槽;
在所述隔离槽内填充柔性绝缘材料形成第一柔性隔离层(241);
所述制备方法还包括:刻蚀所述第一柔性隔离层(241)形成电极(22)引出孔,在所述电极(22)引出孔内沉积导电材料形成电极(22)。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在电子器件的表面形成柔性基底(10),包括:在所述电子器件的表面上沉积过渡层(11),在所述过渡层(11)上沉积所述柔性基底(10)。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:在所述衬底层(21)上沉积柔性绝缘材料形成第二柔性隔离层(242),所述第二柔性隔离层设置在所述衬底层(21)远离所述延伸层(30)的表面上。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:刻蚀所述第二柔性隔离层(242)形成接触孔,在所述接触孔内沉积导电材料形成背栅电极(23)。
5.一种柔性电子器件,其特征在于,所述柔性电子器件通过权利要求1-4任一项所述的柔性电子器件的制备方法制备得到;
所述柔性电子器件包括:柔性基底(10)和电子器件,
所述电子器件包括衬底层(21)和延伸层(30),所述延伸层(30)设置在所述衬底层(21)上;
所述柔性基底(10)设置在所述延伸层(30)远离所述衬底层(21)的表面上;
所述电子器件还包括电极(22),所述电极(22)一端设置在所述延伸层(30)内,另一端贯穿所述衬底层(21)设置。
6.根据权利要求5所述的柔性电子器件,其特征在于,所述电极(22)与所述延伸层(30)之间设有第一隔离槽,所述电极(22)与所述衬底层(21)之间设有第二隔离槽,所述第一隔离槽与所述第二隔离槽贯通。
7.根据权利要求6所述的柔性电子器件,其特征在于,所述第一隔离槽和所述第二隔离槽内设有柔性隔离层(24)。
8.根据权利要求7所述的柔性电子器件,其特征在于,所述电子器件为场效应晶体管,所述衬底层(21)上还设有背栅电极(23),所述背栅电极(23)设置在所述衬底层(21)远离所述柔性基底(10)的面上。
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