[发明专利]显示面板及显示装置

说明书

本申请公开了一种显示面板及显示装置。显示面板，包括显示区、围绕所述显示区的边框区以及相对设置的彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板面向所述阵列基板的一侧设置有黑矩阵，所述阵列基板设置有接地部，所述接地部位于所述边框区，所述接地部与位于所述边框区的所述黑矩阵通过导电部电连接，位于所述边框区的所述黑矩阵设置有围绕所述显示区的第一挖槽和第二挖槽，所述第一挖槽和所述第二挖槽均沿着所述黑矩阵的厚度方向贯穿所述黑矩阵，所述第一挖槽至少部分位于所述导电部与所述显示区之间，所述第一挖槽和所述第二挖槽之间设置有至少一个断开区域。避免显示区靠近导电银浆一侧的容值增高导致的乱爆点和触控不良。

技术领域

本发明一般涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

随着“全面屏”时代的到来，高屏占比手机备受消费者青睐，为了适应这一潮流，手机厂商纷纷选用COF(chip on film，覆晶薄膜)模组工艺，减少手机的上下端空间。

随着边框的变窄，面板周边容值被影响越来越严重。其中，外围区域变窄后银浆涂覆对显示区最靠近银浆侧容值的影响尤为严重。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种减少对显示区容值影响的显示面板及显示装置。

第一方面，本发明的显示面板，包括显示区、围绕所述显示区的边框区以及相对设置的彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板面向所述阵列基板的一侧设置有黑矩阵，所述阵列基板设置有接地部，所述接地部位于所述边框区，所述接地部与位于所述边框区的所述黑矩阵通过导电部电连接，位于所述边框区的所述黑矩阵设置有围绕所述显示区的第一挖槽和第二挖槽，所述第一挖槽和所述第二挖槽均沿着所述黑矩阵的厚度方向贯穿所述黑矩阵，所述第一挖槽至少部分位于所述导电部与所述显示区之间，所述第一挖槽和所述第二挖槽之间设置有至少一个断开区域。

第二方面，本发明的显示装置，包括显示面板。

根据本申请实施例提供的技术方案，通过在导电部和显示区之间设置第一挖槽，并且第一挖槽沿着黑矩阵的厚度方向贯穿黑矩阵，将显示区与导电部分隔开，第一挖槽起到屏蔽导电部的作用，避免显示区靠近导电部一侧的容值增高导致的乱爆点和触控不良，能够解决现有技术中导电部对显示区最靠近导电部侧容值的影响严重的问题。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为现有的显示面板的结构示意图；

图2为现有的显示面板在远离导电银浆位置的容值示意图；

图3为现有的显示面板在靠近导电银浆位置的容值示意图；

图4为本发明的一个实施例的显示面板的结构示意图；

图5为沿着图4中A-A线的局部剖视示意图；

图6为沿着图4中B-B线的局部剖视示意图；

图7为本发明的又一个实施例的显示面板的结构示意图。

附图标记：1-黑矩阵，2-触控电极，3-导电银浆，4-挖槽，5-接地部，10-阵列基板，11-接地部，12-导电部，121-第一导电部，122-第二导电部，13-IC，14-第一衬底，15-边框胶，20-彩膜基板，21-显示区，22-第二衬底，23-彩膜层，24-边框区，30-黑矩阵，31-第一挖槽，32-第一隔离部，33-第一延伸部，331-第一子黑矩阵，3311-第一子黑矩阵的宽度，332-第二子黑矩阵，34-断开区域，35-第二挖槽，36-第二隔离部，37-第二延伸部，371-第三子黑矩阵，3711-第三子黑矩阵的宽度，372-第四子黑矩阵，38-第三挖槽，40-触控电极，50-偏光片，60-中间膜层。

具体实施方式