[发明专利]一种晶圆处理装置和上下料方法有效
申请号: | 201911001569.9 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN110752169B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 李昀泽 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理 装置 上下 方法 | ||
1.一种晶圆处理装置,其特征在于,包括:
承载结构,所述承载结构包括设有反射区域的承载盘;
检测结构,所述检测结构用于向所述承载盘投射光线,所述承载盘上的所述反射区域接收到投射的光线后反射出反射光线,所述检测结构根据接收到的所述反射光线检测所述承载盘的位置信息;
机械臂,所述机械臂用于从所述承载盘中拾取晶圆,或者将晶圆放置到所述承载盘中;
控制结构,所述控制结构用于根据所述位置信息控制所述机械臂拾取或放置晶圆;
所述检测结构设置于所述承载盘的上方,且所述检测结构绕所述承载盘的轴线可旋转;
每个所述检测结构对应一个所述反射区域。
2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述承载结构还包括:
外销环和内销环,所述外销环与所述内销环同轴设置,所述外销环与所述内销环之间设有至少一个承载盘,所述外销环与所述内销环可旋转以驱动所述承载盘转动,每个所述承载盘上分别设有至少一个用于承载晶圆的内圆环。
3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述检测结构包括:
激光发射器,用于向所述承载盘投射光线;
接收器,用于接收所述承载盘上的所述反射区域反射出的反射光线;
处理器,用于根据接收到的所述反射光线获取所述承载盘的位置信息。
4.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,还包括:
第一储存结构,用于储存晶圆;
所述控制结构用于当一承载盘停至第一预设位置时,控制所述机械臂拾取所述第一储存结构中的晶圆并将拾取的晶圆放置于所述一承载盘中。
5.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述机械臂包括:
夹取结构,用于夹取或放置所述晶圆,所述控制结构用于根据所述位置信息控制所述夹取结构夹取或放置晶圆;
吸附结构,用于吸附或放置所述晶圆,所述控制结构用于根据所述位置信息控制所述吸附结构拾取或放置晶圆。
6.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,还包括:
第二储存结构,用于放置晶圆;
所述控制结构用于当一承载盘停至第二预设位置时,控制所述机械臂拾取所述一承载盘中的晶圆并将拾取的晶圆转移至所述第二储存结构中。
7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置,其特征在于,还包括:
传输车,所述传输车内设有用于盛装水的储存槽;
所述控制结构用于控制所述机械臂拾取所述第二储存结构中的晶圆并将拾取的晶圆放置于所述储存槽中。
8.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,还包括:
研磨结构,用于研磨所述承载盘上的晶圆。
9.一种晶圆的上下料方法,应用于如权利要求1-8中任一项所述的装置,其特征在于,包括以下步骤:
当承载盘停止时,控制检测结构绕所述承载盘的轴线可旋转并向所述承载盘投射光线;
根据所述承载盘上的所述反射区域反射出的反射光线获取所述承载盘的位置信息;
根据所述位置信息控制所述机械臂从所述承载盘中拾取晶圆,或者将晶圆放置到所述承载盘中。
10.根据权利要求9所述的方法,应用于如权利要求4所述的装置,其特征在于,当一承载盘停至第一预设位置时,控制所述机械臂拾取所述第一储存结构中的晶圆并将拾取的晶圆放置于所述一承载盘中。
11.根据权利要求9所述的方法,应用于如权利要求6所述的装置,其特征在于,当一承载盘停至第二预设位置时,控制所述机械臂拾取所述一承载盘中的晶圆并将拾取的晶圆转移至所述第二储存结构中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司,未经西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911001569.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造