[发明专利]一种具有互补图形介质层的LED芯片及制作方法

权利要求书

1.一种具有互补图形介质层的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：

永久衬底；

以第一方向依次设置在所述永久衬底上的金属键合层、ODR金属反射层、介质层和P型窗口层，所述第一方向垂直于所述永久衬底，且由所述永久衬底指向所述金属键合层；

其中，所述介质层包括均与所述ODR反射层直接接触的导电介质层和绝缘介质层，所述导电介质层的导电区域图形与所述绝缘介质层的绝缘区域图形呈互补图形，二者之间无空缺区域，在所述第一方向上，所述导电介质层和所述绝缘介质层均为单层结构，且二者不重叠设置。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述导电介质层的区域为连通区域。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述导电介质层的区域为分离的孤岛型区域。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述导电介质层的区域占所述介质层的区域的5％-90％。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述导电介质层的厚度为(2k+1)λ/4n，其中，k为0和正整数，n为所述导电介质层的折射率，λ为所述LED芯片的发光峰值波长；

所述绝缘介质层的厚度为(2k+1)λ/4m，其中，k为0和正整数，m为所述绝缘介质层的折射率，λ为所述LED芯片的发光峰值波长。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：

以所述第一方向依次设置在所述P型窗口层上的P型限制层、MQW有源层、N型限制层、N型电流扩展层、N型粗化层、N型欧姆接触层和N电极；

设置在所述永久衬底背离所述金属键合层一侧的P电极。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述导电介质层的区域与所述N电极的区域，在所述第一方向上的投影不重叠。

8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型窗口层包括：

在所述第一方向上依次设置的P型欧姆接触层和P型电流扩展层。

9.一种具有互补图形介质层的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供临时衬底；

在所述临时衬底上以第二方向依次外延生长N型缓冲层、N型腐蚀截止层、N型欧姆接触层、N型粗化层、N型电流扩展层、N型限制层、MQW有源层、P型限制层和P型窗口层，所述第二方向垂直于所述临时衬底，且由所述临时衬底指向所述N型缓冲层；

在所述P型窗口层上形成介质层，其中，所述介质层包括导电介质层和绝缘介质层，所述导电介质层的导电区域图形与所述绝缘介质层的绝缘区域图形呈互补图形，二者之间无空缺区域，在所述第二方向上，所述导电介质层和所述绝缘介质层均为单层结构，且二者不重叠设置；

在所述介质层上形成ODR金属反射层；

提供永久衬底；

在所述永久衬底上形成金属键合层；

将所述金属键合层和所述ODR金属反射层进行键合处理；

去除所述临时衬底、所述N型缓冲层和所述N型腐蚀截止层。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

对所述N型欧姆接触层进行图形化处理，并形成N电极。

11.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

从所述N型粗化层蚀刻至所述P型窗口层以形成预留切割道。

12.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

对所述N型粗化层的表面进行粗化处理。