[发明专利]一种增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911001784.9 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110600549A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 帽层 本征GaN缓冲层 漏极区域 衬底层 制备 栅极氧化层表面 化合物半导体 欧姆接触表面 栅极泄露电流 大规模制造 器件可靠性 栅极氧化层 表面形成 欧姆接触 器件表面 器件结构 驱动电流 源极区域 栅极金属 栅极区域 金属化 增强型 阻挡层 沟道 减小 刻蚀 源极 制程 兼容 主流 重复 申请 | ||
1.一种增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构，其特征在于，包括Al2O3衬底，所述Al2O3衬底表面形成有第一本征GaN缓冲层，所述第一本征GaN缓冲层表面形成有第二本征GaN缓冲层，所述第二本征GaN缓冲层表面形成有GaN衬底层，所述GaN衬底层表面形成有AlGaN阻挡层，所述AlGaN阻挡层表面形成有GaN帽层，所述GaN帽层至GaN衬底层刻蚀形成左侧源极区域和右侧漏极区域，所述左侧源极区域表面形成有凸出于器件表面的金属化源极欧姆接触，所述右侧漏极区域表面形成有凸出于器件表面的金属化漏极欧姆接触，所述GaN帽层和源漏极欧姆接触表面对应的栅极区域形成有栅极氧化层，所述栅极氧化层表面形成有栅极金属。
2.根据权利要求1所述的增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构，其特征在于，所述Al2O3衬底和第一本征GaN缓冲层之间形成有AlN过渡层。
3.根据权利要求1所述的增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构，其特征在于，所述第一本征GaN缓冲层的厚度为2μm，所述第二本征GaN缓冲层的厚度为1μm，所述GaN衬底层的厚度为2μm，所述AlGaN阻挡层的厚度为5nm，所述GaN帽层的厚度为1～2nm。
4.根据权利要求1所述的增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构，其特征在于，所述左侧源极区域和右侧漏极区域的欧姆接触选用铝，区域刻蚀深度为180nm。
5.根据权利要求1所述的增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构，其特征在于，所述栅极氧化层的厚度为10nm。
6.根据权利要求1所述的增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构，其特征在于，所述栅极金属的厚度为50nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中证博芯(重庆)半导体有限公司，未经中证博芯(重庆)半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911001784.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：增强型异质结场效应晶体管
- 下一篇：半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
