[发明专利]一种碳化硅颗粒提纯薄膜真空压缩制备装置

说明书

本发明涉及一种碳化硅，尤其涉及一种碳化硅颗粒提纯薄膜真空压缩制备装置。本发明要解决的技术问题是提供一种碳化硅颗粒提纯薄膜真空压缩制备装置。一种碳化硅颗粒提纯薄膜真空压缩制备装置，包括底侧部框支架，中部框架，控制显示屏，密封筛选浮选除杂机构，清洗分离机构，蒸干倒料机构，硅块粉碎机构和升华真空压缩成膜机构；底侧部框支架内底端中部与中部框架相连接；底侧部框支架左端设置有升华真空压缩成膜机构，本发明达到了高效分离粗品碳化硅内部杂质，粉末化碳化硅，减小碳化硅薄膜粒径，碳化硅升华真空压缩成型，得到强度高表面光滑的薄膜的效果。

技术领域

本发明涉及一种碳化硅，尤其涉及一种碳化硅颗粒提纯薄膜真空压缩制备装置。

背景技术

金刚砂又名碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。目前中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2，随着科学技术的飞速发展，现有技术碳化硅薄膜也得到了更广泛的应用，但是在碳化硅薄膜生产过程中由于碳化硅成品存在石灰石块和木屑等杂质，并且碳化硅颗粒粒径过大，成膜舱无法进行实时降压，且处理过的碳化硅颗粒中水分含量较大，压缩成膜过程中存在空气，从而导致了碳化硅薄膜纯度不高，过多杂质致使薄膜结合不紧密，碳化硅薄膜强度低，成型薄膜过于粗糙的问题。

发明内容

本发明为了克服碳化硅薄膜纯度不高，过多杂质致使薄膜结合不紧密，碳化硅颗粒粒径过大，碳化硅薄膜强度低，成型薄膜过于粗糙的缺点，本发明要解决的技术问题是提供一种碳化硅颗粒提纯薄膜真空压缩制备装置。

本发明由以下具体技术手段所达成：

一种碳化硅颗粒提纯薄膜真空压缩制备装置，包括底侧部框支架，中部框架，控制显示屏，密封筛选浮选除杂机构，清洗分离机构，蒸干倒料机构，硅块粉碎机构和升华真空压缩成膜机构；底侧部框支架内底端中部与中部框架相连接；底侧部框支架右端中部设置有控制显示屏；底侧部框支架内右端顶部与密封筛选浮选除杂机构相连接，并且密封筛选浮选除杂机构左端底部与中部框架相连接；底侧部框支架内右中部设置有清洗分离机构，并且清洗分离机构左端顶部与中部框架相连接；底侧部框支架内底端中右部设置有蒸干倒料机构，并且蒸干倒料机构左端顶部与中部框架相连接；底侧部框支架内底端中左部设置有硅块粉碎机构，并且硅块粉碎机构右端上侧与中部框架相连接；底侧部框支架左端设置有升华真空压缩成膜机构。