[发明专利]一种具有超低介电损耗的PTFE/MgTiO3

权利要求书

1.一种PTFE/MgTiO₃复合介质材料，其特征在于，所述PTFE/MgTiO₃复合介质材料包括四氟乙烯基体以及填充在所述四氟乙烯基体中的微波介质陶瓷MgTiO₃；在所述PTFE/MgTiO₃复合介质材料中微波介质陶瓷MgTiO₃的含量为10～40Vol%，优选17.5～32.5Vol %。

2.根据权利要求1所述的PTFE/MgTiO₃复合介质材料，其特征在于，所述微波介质陶瓷MgTiO₃的粒径为10～40μm。

3.根据权利要求1或2所述的PTFE/MgTiO₃复合介质材料，其特征在于，所述微波介质陶瓷MgTiO₃的组成包括：45～55mol% MgO、45～55mol% TiO₂ ，摩尔百分比之和为100%。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的PTFE/MgTiO₃复合介质材料，其特征在于，所述PTFE/MgTiO₃复合介质材料的介电常数为3～6，介电损耗低于3×10^-4。

5.一种权利要求1-4中任一项所述的PTFE/MgTiO₃复合介质材料的制备方法，其特征在于，包括：

（1）采用偶联剂对微波介质陶瓷MgTiO₃粉体进行改性，得到改性的微波介质陶瓷粉；

（2）按照所述PTFE/MgTiO₃复合介质材料组成，将所得改性的微波介质陶瓷粉与聚四氟乙烯进行混合、模压和烧结，得到所述PTFE/MgTiO₃复合介质材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述改性包括：将乙醇和水的混合液调节pH至3～5后，加入微波介质陶瓷MgTiO₃粉体和偶联剂，经分散和烘干，得到改性的微波介质陶瓷粉；所述偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷（KH550）、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷(KH560)、钛酸丁酯中的一种。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述偶联剂添加的质量分数为微波介质陶瓷MgTiO₃粉体的1～3wt%。

8.根据权利要求5-7中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述烧结的温度为360～380℃，时间为4-6小时；优选地，所述烧结的制度包括：按5～10℃/分钟升温至360～380℃，保温4～6小时，再按1～3℃/分钟降至300～320℃，保温1～2小时后结束。

9.根据权利要求5-8中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述微波介质陶瓷MgTiO₃粉体的制备方法，包括：

（1）按化学计量比称取MgO粉体和TiO₂粉体并混合后，在1000～1200℃煅烧不低于3小时，得到合成粉体；

（2）将所得合成粉体在1200～1400℃下烧结不低于3小时，得到所述微波介质陶瓷MgTiO₃粉体。

10.一种基板，其特征在于，由权利要求1-4中任一项所述的PTFE/MgTiO₃复合介质材料制得。