[发明专利]一种高亮度正装LED结构及制作方法

说明书

本申请提供了一种高亮度正装LED结构及制作方法，通过先对外延层的表面进行粗化处理，以破坏全反射角，增加出光效率，进一步的，先进行粗化处理，再形成相应粗化结构的GaP层，也不会破坏GaP层的结构，进而可以维持传统的电压需求。

技术领域

本发明涉及LED工艺技术领域，更具体地说，涉及一种高亮度正装LED结构及制作方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，各种各样的LED已广泛应用于人们的生活、工作和工业中，为人们的日常生活带来了极大的便利。

传统的正装LED结构，大部分光被局限在外延层内吸收，导致发光效率差。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种高亮度正装LED结构及制作方法，技术方案如下：

一种高亮度正装LED结构的制作方法，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成外延层；

对所述外延层背离所述衬底的表面进行粗化处理，且预留出电极区域；

在粗化处理的表面上依次形成高掺杂GaP层和透明导电层；

在所述电极区域上形成电极结构。

优选的，在上述制作方法中，所述粗化处理为将所述外延层背离所述衬底的表面制成粗化面。

优选的，在上述制作方法中，所述粗化处理为对所述外延层背离所述衬底的表面进行刻蚀处理，形成三维孔洞结构。

优选的，在上述制作方法中，所述粗化处理为在所述外延层背离所述衬底的表面生长多个三维凸起结构。

优选的，在上述制作方法中，所述外延层包括：

依次设置在所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；

其中，所述P型半导体层背离所述多量子阱层的表面进行粗化处理，且预留出电极区域。

优选的，在上述制作方法中，所述N型半导体层的材料为AlGaInP材料或AlGaAs材料或其它Ⅲ-Ⅴ族复合材料。

优选的，在上述制作方法中，所述P型半导体层的材料为GaP材料或AlGaAs材料或其它Ⅲ-Ⅴ族复合材料。

优选的，在上述制作方法中，所述衬底的材料为GaAs材料。

一种高亮度正装LED结构，所述高亮度正装LED结构包括：

衬底；

设置在所述衬底上的外延层，其中，所述外延层背离所述衬底的表面进行粗化处理，且预留出电极区域；

依次设置在所述粗化处理后表面上的高掺杂GaP层和透明导电层；

设置在所述电极区域的电极结构。

相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：

该制作方法先对外延层的表面进行粗化处理，以破坏全反射角，增加出光效率，进一步的，先进行粗化处理，再形成相应粗化结构的GaP层，也不会破坏GaP层的结构，进而可以维持传统的电压需求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种高亮度正装LED结构的制作方法的流程示意图；