[发明专利]具有电光衬底的半导体装置

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

电光衬底，其具有多个接收光学路径和多个发射光学路径，其中所述接收光学路径彼此光学分离，且其中所述发射光学路径彼此光学分离，

光学连接器，所述光学连接器光学耦合到所述接收光学路径和所述发射光学路径，其中所述光学连接器经配置以光学耦合到外部装置；及

多个存储器，其由所述电光衬底承载，其中所述存储器电耦合到所述电光衬底，其中所述多个存储器的单个存储器经由(a)所述接收光学路径中的对应一或多者和(b)所述发射光学路径中对应一或多者而光学耦合到所所述光学连接器，其中对于所述多个存储器中的每一者，所述接收光学路径和所述发射光学路径是不同的，并且其中所述多个存储器经配置以经由所述接收光学路径中的对应的接收光学路径来接收光信号，经由所述发射光学路径中对应的发射光学路径来发送光信号，并且经由所述电光衬底接收电力。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电光衬底包含电衬底以及界定所述接收光学路径和所述发射光学路径的波导，且其中所述存储器(a)电耦合到所述电衬底且(b)光学耦合到所述波导。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述波导包括一或多个聚合物材料层且不包含预成形衬底。

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述波导贴附到所述电衬底。

5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述电衬底是印刷电路板PCB。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电光衬底包含光栅耦合件以及界定所述接收光学路径和所述发射光学路径的波导，且其中所述存储器经由所述光栅耦合件光学耦合到所述波导。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电光衬底包含以及界定所述接收光学路径和所述发射光学路径的波导，且其中所述存储器经由一或多个光纤光学耦合到所述波导。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述光学连接器是多光纤推接MPO连接器。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中个别存储器包含(a)光学耦合到所述接收光学路径的对应一者的第一光子集成电路PIC芯片及(b)光学耦合到所述发射光学路径的对应一者的第二PIC芯片。

10.一种双列直插式存储器模块DIMM，其包括：

衬底，其包含电路板及所述电路板上的光学布线层，其中所述光学布线层包括多个接收光学路径和多个发射光学路径，其中所述接收光学路径彼此光学分离，且其中发射光学路径彼此光学分离；

光学连接器，所述光学连接器光学耦合到所述接收光学路径和所述发射光学路径，其中所述光学连接器经配置以光学耦合到外部装置，及

多个存储器，其(电耦合到所述电路板，其中所述多个存储器中的单个存储器经由(a)所述接收光学路径中的对应一者和(b)所述发射光学路径中对应一者而光学耦合到所述光学连接器，其中所述接收光学路径和所述发射光学路径对于所述多个存储器的每一者是不同的。

11.根据权利要求10所述的DIMM，其中所述光学布线层是聚合物波导。

12.根据权利要求10所述的DIMM，其中所述光学布线层包含预成形衬底，且其中所述光学布线层贴附到所述电路板。

13.根据权利要求10所述的DIMM，其中所述光学布线层包含具有不同折射率的两个或多于两个聚合物材料层，且其中所述两个或多于两个聚合物材料层直接形成在所述电路板上。

14.根据权利要求10所述的DIMM，其中所述电路板包含边缘连接器，其中所述存储器经配置以经由所述边缘连接器接收电力，且其中所述存储器经配置以仅经由所述光学布线层接收数据信号。