[发明专利]3dB电桥及其制备方法

说明书

本发明属于无线电技术领域，涉及一种3dB电桥及其制备方法。所述电桥包括：输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片；第一平行微带线呈正U字形，第二平行微带线呈倒U字形，两者呈叉指结构耦合并设置在介质基片的正面上；第一平行微带线的第一端与输入端口连接，第二端与直通端口连接，第二平行微带线的第一端与耦合端口连接，第二端与隔离端口连接；介质基片的背面设置缺陷地结构；金属垫片设置在介质基片的背面，且设置与缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。本发明尺寸小，插入损耗小，有效提高电桥的耐功率能力，提高产品可靠性。

技术领域

本发明属于无线电技术领域，更具体地说，是涉及一种3dB电桥及其制备方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，现阶段无线电收发系统的发射功率及接收耐功率越来越高，而电桥是发射机功率合成和接收机限幅中必不可少的一部分。但传统功率电桥具有插入损耗大和耐功率能力低的问题，很难满足发射机效率及接收机低噪声的要求。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种3dB电桥及其制备方法，以解决现有技术中的功率电桥具有插入损耗大和耐功率能力低的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种3dB电桥，包括：输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片；

所述第一平行微带线呈正U字形，所述第二平行微带线呈倒U字形，所述第一平行微带线和所述第二平行微带线呈叉指结构耦合并设置在所述介质基片的正面上；所述第一平行微带线的第一端与所述输入端口连接，所述第一平行微带线的第二端与所述直通端口连接，所述第二平行微带线的第一端与所述耦合端口连接，所述第二平行微带线的第二端与所述隔离端口连接；

所述介质基片的背面设置缺陷地结构，所述缺陷地结构位于所述第一平行微带线和第二平行微带线的正下方；

所述金属垫片设置在所述介质基片的背面，且设置与所述缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。

可选的，所述第一平行微带线的耦合度和所述第二平行微带线的耦合度不相等。

可选的，所述第一平行微带线的耦合度为1dB，所述第二平行微带线的耦合度为7dB。

可选的，所述介质基片为0.5mm厚度的Al₂O₃陶瓷基片。

可选的，所述金属垫片为大于0.1mm厚度的钼铜垫片。

可选的，所述3dB电桥还包括：第一金带和第二金带；

所述第一平行微带线的第一端通过所述第一金带与所述输入端口连接，所述第二平行微带线的第一端通过所述第二金带与所述耦合端口连接。

可选的，所述第一金带和所述第二金带均为500um×25um金带。

本发明实施例的第二方面提供了一种3dB电桥的制备方法，包括：

在介质基片的正面制备呈正U字形的第一平行微带线与呈倒U字形的第二平行微带线，所述第一平行微带线与所述第二平行微带线呈叉指结构耦合；

在所述介质基片的背面制备缺陷地结构，得到耦合基片，所述缺陷地结构位于所述第一平行微带线和第二平行微带线的正下方；

将设有开槽结构的金属垫片设置在所述耦合基片的背面，形成3dB电桥，所述开槽结构与所述缺陷地结构的图形相同。

可选的，在介质基片的正面制备呈正U字形的第一平行微带线与呈倒U字形的第二平行微带线，包括：

在介质基片的正面溅射金属层；

利用光刻工艺在溅射金属层的介质基片的正面形成图形化的掩膜层；