[发明专利]存储器单元、集成芯片和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

具有可变电阻的数据存储元件；以及

与所述数据存储元件串联电耦合的双极选择器，其中所述双极选择器包括第一单极选择器和第二单极选择器，并且其中所述第一单极选择器和所述第二单极选择器以相反的取向并联电耦合，

其中，所述数据存储元件包括磁隧道结，并且其中所述磁隧道结包括参考铁磁元件和自由铁磁元件，

其中，所述自由铁磁元件通过所述参考铁磁元件与所述双极选择器电隔离，其中所述参考铁磁元件通过所述第一单极选择器的阴极与所述第一单极选择器的阳极电隔离，并且其中所述第一单极选择器的阈值电压小于所述第二单极选择器的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一单极选择器的阴极电耦合到所述第二单极选择器的阳极。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一单极选择器和第二单极选择器是二极管。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述双极选择器具有第一极性处的第一阈值电压和第二极性处的第二阈值电压，并且其中所述第一单极选择器和所述第二单极选择器分别限定所述第一阈值电压和所述第二阈值电压。

5.根据权利要求4所述的存储器单元，其中所述第一阈值电压和所述第二阈值电压不同。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一单极选择器的长度不同于所述第二单极选择器的长度。

7.根据权利要求6所述的存储器单元，其中所述第一单极选择器的长度小于所述第二单极选择器的长度。

8.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一单极选择器的体积不同于所述第二单极选择器的体积。

9.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一单极选择器的宽度不同于所述第二单极选择器的宽度。

10.一种集成芯片，包括：

包括多个行和多个列中的多个存储器单元的阵列，其中所述存储器单元包括单独的双极选择器和单独的数据存储元件，并且其中所述双极选择器每个包括以相反的取向并联电耦合的第一选择器和第二选择器；

多个第一导线沿所述阵列的相应行延伸并且与所述相应行中的所述阵列的存储器单元电耦合；以及

多个第二导线沿所述阵列的相应列延伸并且与所述相应列中的所述阵列的存储器单元电耦合，

其中，所述存储器单元包括磁隧道结，并且其中所述磁隧道结包括参考铁磁元件和自由铁磁元件，

其中所述参考铁磁元件通过所述自由铁磁元件与所述双极选择器电隔离，其中所述自由铁磁元件通过所述第一选择器的阴极与所述第一选择器的阳极电隔离，其中所述第一选择器的阈值电压大于所述第二选择器的阈值电压。

11.根据权利要求10所述的集成芯片，其中所述第一选择器的长度不同于所述第二选择器的长度。

12.根据权利要求10所述的集成芯片，其中所述第一选择器和所述第二选择器是单极选择器，其中所述第一选择器的阳极直接电耦合到所述第二选择器的阴极，并且其中所述第一选择器的阴极直接电耦合到所述第二选择器的阳极。

13.根据权利要求10所述的集成芯片，还包括：

包括多行和多列的多个第二存储器单元的第二阵列，其中所述第二存储器单元包括单独的第二双极选择器和单独的第二数据存储元件，并且其中所述第二导线沿着所述第二阵列的相应列延伸并与所述相应列中的所述第二阵列的第二存储器单元电耦合；以及

多个第三导线沿着所述第二阵列的相应行延伸并且与所述相应行中的所述第二阵列的第二存储器单元电耦合，其中所述第二导线垂直地位于所述第一导线和所述第三导线之间。