[发明专利]引线框架及引线框架封装体在审
申请号: | 201911006332.X | 申请日: | 2019-10-22 |
公开(公告)号: | CN111092065A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 古野绫太;久保公彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社三井高科技 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 框架 封装 | ||
1.一种引线框架,其具备基材与覆盖所述基材的表面层,
所述表面层包含含有CuO作为主要成分的针状氧化物。
2.根据权利要求1所述的引线框架,其中,所述针状氧化物进一步含有Cu2O。
3.根据权利要求1或2所述的引线框架,其中,由所述针状氧化物构成的所述表面层的厚度为30nm以上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的引线框架,其中,所述针状氧化物的尖端部具有比除了该尖端部以外的部分小的原子比率、即Cu/O。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的引线框架,其中,所述表面层在所述针状氧化物的周围包含无定形状或微晶状的氧化膜。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的引线框架,其中,所述基材具有镀铜膜,所述针状氧化物从所述镀铜膜延伸。
7.一种引线框架封装体,其具备:
权利要求1~6中任一项所述的引线框架;
搭载于所述引线框架的半导体芯片;及
以覆盖所述半导体芯片及所述引线框架的至少一部分的方式设置的树脂。
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