[发明专利]一种IBC太阳能电池金属化栅线结构的制备方法

权利要求书

1.一种IBC太阳能电池金属化栅线结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、分别对N型晶体硅基体的前表面和背面表面进行掺杂处理，在N型基体的前表面形成n+前表面场，背表面形成相互交替排列的背表面场n+掺杂区域和发射结p+掺杂区域；前表面形成钝化减反射膜，背表面形成钝化膜；

S2、在衬底硅片的背面n+掺杂区域和P+掺杂区域印刷浆料，其中印刷浆料的图形采用局部接触，印刷后进行烘干处理；

S3、在步骤S2处理后，印刷浆料形成非接触电极，其中印刷浆料的图形采用镂空方案；

S4、对印刷局部接触浆料和非接触浆料的N型硅片进行高温烧结处理工艺，从而在n+掺杂区域和P+掺杂区域形成相应的电极。

2.如权利要求1所述的IBC太阳能电池金属化栅线结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，局部接触电极包括但不限于圆形点、方形点、矩形点和非连续的线段。

3.如权利要求1所述的IBC太阳能电池金属化栅线结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，局部接触电极印刷用的浆料为烧穿浆料，其在高温过程中与硅形成欧姆接触特性。

4.如权利要求1所述的IBC太阳能电池金属化栅线结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，非接触电极的图形采用镂空方案，其镂空区域图形与局部接触电极的图形相对应，即包括但不限于圆形、方形、矩形和非连续的线段。

5.如权利要求1所述的IBC太阳能电池金属化栅线结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，非接触电极的图形与局部接触电极的图形之间部分重叠。

6.如权利要求1所述的IBC太阳能电池金属化栅线结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，非接触电极印刷用的浆料为非烧穿浆料，其在高温烧结过程中与底层的硅不形成欧姆接触特性。

7.如权利要求1所述的IBC太阳能电池金属化栅线结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，采用高温烧结工艺，在高温烧结过程后，局部接触电极与非接触电极形成IBC扩散区域相应的栅线电极。