[发明专利]一种功率器件及电子设备

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底的器件层，所述器件层包括开通二极管、关断二极管以及多晶电阻，所述开通二极管和所述关断二极管均包括阴极、阳极和N阱，所述多晶电阻包括开通电阻和关断电阻；

形成于所述器件层背离所述衬底一侧的金属层，所述金属层包括用于与所述功率器件栅极引线连接的第一金属引出部、第一连接区、第二连接区、用于与驱动IC的栅极驱动输出端连接的第二金属引出部；其中，所述第一金属引出部与所述开通二极管的阴极和所述关断二极管的阳极电连接；所述第一连接区与所述开通二极管的阳极以及所述开通电阻的一端连接；所述第二连接区与所述关断二极管的阴极以及所述关断电阻的一端连接；所述第二金属引出部与所述开通电阻的另一端以及所述关断电阻的另一端连接。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述衬底包括沿所述衬底厚度方向排列的第一P型层和第一N型层以形成PN结；所述器件层形成于所述第一P型层背离所述第一N型层的一侧。

3.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述第一P型层内形成有N阱区，且所述N阱区位于所述第一P型层背离所述第一N型层的一侧；

所述开通二极管和/或所述关断二极管包括形成于所述N阱区内的第二P型层和第二N型层以形成PN结。

4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述金属层与所述器件层之间设有绝缘介质层，所述绝缘介质层上设有第一接触孔和第二接触孔，所述金属层贯穿所述第一接触孔且与所述开通二极管或所述关断二极管连接；所述金属层贯穿所述第二接触孔内且与所述多晶电阻的连接端连接。

5.根据权利要求4所述的功率器件，其特征在于，所述绝缘介质层包括层叠设置的氧化层和层间电介质层，其中，所述氧化层位于所述衬底朝向所述金属层的一侧；所述多晶电阻镶嵌于所述层间电介质靠近所述氧化层的一侧；

所述第一接触孔贯穿所述氧化层和所述层间电介质层，所述第二接触孔贯穿所述层间电介质层。

6.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述多晶电阻的材料均为多晶硅材料。

7.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件还包括覆盖于所述金属层的钝化层，且所述钝化层位于所述金属层背离所述衬底一侧；

所述金属层中，第一金属引出部和第二金属引出部至少部分暴露于所述钝化层外。

8.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件还包括形成于所述衬底的栅极，所述栅极和所述第一金属引出部连接。

9.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述多晶电阻具有一体式结构，所述多晶电阻的一端形成有用于与所述第一连接区连接的第一连接端，另一端形成有用于与上述第二连接区连接的第二连接端，中间部位形成有用于与所述第二金属引出部连接的第三连接端，其中，所述多晶电阻处于上述第一连接端与所述第三连接端之间的部位形成所述开通电阻，所述多晶电阻处于上述第二连接端与所述第三连接端之间的部位形成所述关断电阻。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的功率器件。