[发明专利]一种TOPCON钝化结构及其制备方法

权利要求书

1.一种TOPCON钝化结构，其特征在于，包括N型或P型的硅片基体，在所述硅片基体的表面由内至外依次设置有隧穿二氧化硅层、TOPCon结构的掺杂多晶硅层/非晶硅层、含磷的氧化硅层SiOx：P或含硼的氧化硅层SiOx：B及SiNx顶盖层；所述隧穿二氧化硅层的厚度为0-5nm，所述TOPCon结构的掺杂多晶硅层或非晶硅层的厚度为5-5000nm，所述含磷的氧化硅层SiOx：P或者含硼的氧化硅层SiOx：B的厚度为1-200nm，所述SiNx顶盖层的厚度为1-200nm。

2.如权利要求1所述的TOPCON钝化结构，其特征在于，所述隧穿二氧化硅层的厚度为1-2nm。

3.如权利要求1所述的TOPCON钝化结构，其特征在于，所述TOPCon结构的掺杂多晶硅层或非晶硅层的厚度为100-200nm。

4.如权利要求1所述的TOPCON钝化结构，其特征在于，所述含磷氧化硅层SiOx：P的厚度为10-20nm。

5.如权利要求1所述的TOPCON钝化结构，其特征在于，所述含硼氧化硅层SiOx：B的厚度为10-20nm。

6.如权利要求1所述的TOPCON钝化结构，其特征在于，所述SiNx顶盖层的厚度为50-140nm。

7.一种TOPCon钝化结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)采用LPCVD设备或PECVD设备在硅片基体表面先生长一层隧穿二氧化硅层，隧穿二氧化硅层的厚度为1-2nm；在隧穿二氧化硅层上再生长一层厚度为100-200nm的本征多晶硅层或非晶硅层；最后在本征多晶硅层或非晶硅层上生长一层厚度为50-100nm的N型或者P型原位掺杂的多晶硅层或非晶硅层；

b)在退火设备中对上述半成品在800℃-1000℃条件下进行退火和氧化，氧化后会在N型或者P型掺杂的多晶硅层或非晶硅层表面形成含磷氧化硅层SiOx：P或者含硼氧化硅层SiOx：B作为钝化层；

c)在上述钝化层上面用CVD设备生长一层SiNx顶盖层，SiNx顶盖层的厚度为1-200nm。

8.如权利要求7所述的TOPCON钝化结构的制备方法，其特征在于，还包括步骤d)用HF及HCl混合液或HF溶液对含磷氧化硅层SiOx：P或者含硼氧化硅层SiOx：B进行腐蚀，通过时间来控制保留的含磷氧化硅层SiOx：P或者含硼氧化硅层SiOx：B的厚度。

9.如权利要求7所述的TOPCON钝化结构的制备方法，其特征在于，通过控制步骤b)中氧化的温度、氧气流量和时间来控制含磷氧化硅层SiOx：P或者含硼氧化硅层SiOx：B的厚度。

10.如权利要求7所述的TOPCON钝化结构的制备方法，其特征在于，步骤b)中，氧气流量为1000sccm-20000sccm，氧化的时间为10min-120min。