[发明专利]一种低噪声放大器

权利要求书

1.一种低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器包括输入级匹配网络1、第一级放大器2、级间网络3、第二级放大器4、输出级匹配网络5；所述第一级放大器2为源极带有串联电感反馈的共源放大结构；所述第一级放大器2包括第一场效应器件Q1和第一串联网络9，所述第一串联网络9连接于第一场效应器件Q1的源极并接地；

所述第二级放大器4包括第二场效应器件Q2、并联反馈网络10和第二串联网络12；所述并联反馈网络10连接于第二场效应器件Q2的栅极与漏极之间；

所述级间网络3，包含级间匹配网络6、第一偏置网络7和第二偏置网络8；所述级间匹配网络6连接于第一级放大器2与第二级放大器4之间，其作用在于信号阻抗匹配，并改善平带内增益平坦度以及保证电路稳定；所述第一偏置网络7和第二偏置网络8分别对第一场效应器件Q1的漏端和第二场效应器件Q2栅端进行直流供电；

级间匹配网络6包括三个电阻：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3，三个电容：第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3，以及第一电感L1；所述第一电容C1与第二电阻R2并联构成并联电路，所述第一电阻R1串联所述并联电路，所述第一电阻R1一端连接第一级放大器2，另一端连接所述第一电容C1与第二电阻R2并联构成的并联电路，所述并联电路的另一端连接第三电容C3，所述第三电容C3串联第一电感L1，第一电感L1的另一端连接第二级放大器4，在所述第一电容C1与第二电阻R2构成的并联电路与第三电容C3之间并联第三电阻R3，所述第三电阻R3串联第二电容C2后接地；由第二电阻R2和第一电容C1组成的并联电路串联于RF通路调整带内平坦度，由第三电阻R3和第二电容C2组成的串联电路并联于RF通路，用于调整带内平坦度和高频段电路稳定性；第一电感L1用以改善增益。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二级放大器4还包括第六电感L6和第七电感L7构成；所述并联反馈网络10采用第八电阻R8和第七电容C7串联构成，第八电阻R8另一端连接于级间网络3，第七电容C7 的另一端连接于输出级匹配网络5；第六电感L6一端连接于第二场效应器件Q2的栅极，另一端连接于级间网络3；第七电感L7一端连接于第二场效应器件Q2的漏极，另一端连接于输出级匹配网络5。

3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一串联网络9包括第六电容C6与第七电阻R7并联后与第四电感L4串联连接于第一场效应器件Q1的源极， 所述第四电感L4一端连接第一场效应器件Q1的源极，另一端与第六电容C6与第七电阻R7构成的并联电路连接，所述第六电容C6与第七电阻R7构成的并联电路的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一偏置网络7包括第六电阻R6、第四电容C4和第二电感L2；所述第二电感L2的一端连接第一级放大器2，另一端连接偏置电压源VD1；所述第六电阻R6一端与偏置电压源VD1连接，另一端与第四电容C4连接，所述第四电容C4另一端接地。

5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二偏置网络8包括第三电感L3和第五电容C5；所述第三电感L3一端连接第二级放大器4，另一端连接偏置电压源VG2，所述第五电容C5的一端连接偏置电压源VG2，另一端接地。

6.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器在2～4GHz频带内，电路增益达到27.dB以上，反射系数在-10dB以下，电路噪声系数小于1dB。

7.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第二级间网络和第三级放大器，所述第二级间网络连接于所述第二级放大器和第三级放大器之间，所述第三级放大器连接于所述第二级间网络与输出级匹配网络之间，所述第二级间网络与级间网络3的结构相同，所述第三级放大器与第二级放大器4结构相同。