[发明专利]一种选择性红外辐射与雷达吸波兼容的隐身材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911007549.2 申请日: 2019-10-22
公开(公告)号: CN110737035B 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 刘东青;程海峰;彭亮;彭任富 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G02B5/00 分类号: G02B5/00;H01Q17/00;F41H3/00;G02B1/10
代理公司: 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 代理人: 钱朝辉
地址: 410000 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 选择性 红外 辐射 雷达 兼容 隐身 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种选择性红外辐射与雷达吸波兼容的隐身材料,所述隐身材料包括雷达吸波功能层和叠加在雷达吸波功能层上的选择性红外辐射功能层,其特征在于,所述选择性红外辐射功能层包括聚酰亚胺基底以及交替沉积在所述聚酰亚胺基底表面的、呈周期性图案的银薄膜层和锗薄膜层;所述雷达吸波功能层为多层结构,所述多层结构由下至上依次包括导电层、底部泡沫介质层、频率选择表面层和顶部泡沫介质层;

所述银薄膜层的厚度为10-50nm,所述锗薄膜层的厚度为300-700nm;

所述银薄膜层和锗薄膜层的周期性图案是指呈正方形阵列分布的图案,所述正方形的边长为2.8-3mm,相邻正方形之间的间距为0.2-0.5mm;

所述底部泡沫介质层的厚度为1.2-2mm,所述顶部泡沫介质层的厚度为0.2-0.6mm;

所述频率选择表面层由多个正方形阵列而成,所述正方形的边长为7-9mm,相邻正方形之间的间距为1.5-2.5mm,方阻为30Ω/□-50Ω/□。

2.根据权利要求1所述的隐身材料,其特征在于,所述银薄膜层和锗薄膜层的总层数为4-10层,且与所述聚酰亚胺基底接触的为银薄膜层。

3.一种如权利要求1-2中任一项所述的选择性红外辐射与雷达吸波兼容的隐身材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)采用物理气相沉积法在聚酰亚胺基底表面交替沉积银薄膜层和锗薄膜层,得到选择性红外辐射功能层;

(2)利用激光刻蚀制备频率选择表面层;并采用粘结剂将导电层、底部泡沫介质层、频率选择表面层和顶部泡沫介质层粘合成整体,得到雷达吸波功能层;

(3)采用粘结剂将选择性红外辐射功能层和雷达吸波功能层粘合成整体,即得到选择性红外辐射材料和雷达吸波兼容隐身材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述物理气相沉积法为电子束蒸发法或者磁控溅射法。

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