[发明专利]一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法、T形栅和晶体管

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

在半导体基板上涂布第一层光刻胶进行烘烤、I-line光刻、显影、清洗形成具有垂直面的下层根部腔体；显影后去除下层根部腔体内和上表面的光酸，下层根部腔体侧壁会残留；

在下层根部腔体上涂布一层水溶性微缩层，对所述微缩层扩散烘烤，以仅在所述垂直面表面形成扩散微缩层；其中，下层根部腔体侧壁残留的光酸会和微缩层物质发生反应，从而形成微缩层；

水洗以去除光酸未扩散的微缩层后进行烘烤热变形，下层根部腔体形成具有圆弧边角的下层根部腔体，微缩层形成隔离层；其中，微缩层扩散烘烤步骤为低温，烘烤热变形步骤为高温；

在下层根部腔体表面涂布第二层光刻胶，对第二层光刻胶进行烘烤、曝光、显影、清洗形成上层头部腔体；上层头部腔体的底部宽度X要小于隔离层顶部宽度Y；

离子去胶步骤，用于去除底部残留，具体包括第二光刻胶残渣和微缩隔离层；

沉积栅极金属层并剥离，去除所述下层根部腔体、隔离层和上层头部腔体，形成T形栅；

用酸刻蚀掉下层根部腔体表面的阻挡层，以在半导体基板表面形成T形栅的下层根部图形。

2.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法，其特征在于：所述I-line光刻的光刻胶厚度为6500~9000Å，清洗后形成的下层根部腔体的图形宽度为0.35~0.55um。

3.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法，其特征在于：所述的在所述垂直面表面形成扩散微缩层的厚度为50~100nm。

4.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法，其特征在于：所述的下层根部腔体形成具有圆弧边角的下层根部腔体的宽度为0.12~0.22um。

5.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法，其特征在于：所述的上层头部腔体的顶部宽度为0.8~1.3um。

6.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法，其特征在于：所述的T形栅的底部的宽度为0.15~0.25um。

7.一种T形栅，其特征在于：采用如权利要求1~6中任意一项所述制造方法制造。

8.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于：包括如权利要求7所述的T形栅。