[发明专利]一种一维纳米二氧化硅的制备方法

权利要求书

1.一种一维纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

二氧化硅纳米棒合成原料的制备：将硅源和氨水分别盛放在两个容器中备用；所述的硅源为甲基-三甲氧基硅烷；

一维纳米二氧化硅生长衬底的准备：准备载玻片为生长衬底，清洗、干燥后备用；

一维纳米二氧化硅的化学气相沉积法生长：将盛放硅源和氨水的容器和干燥后的载玻片置于真空干燥器中，密封并抽真空，将真空干燥器置于恒温箱中，恒温保存；将真空干燥器从恒温箱中取出，冷却至室温，将载玻片从真空干燥器中取出，载玻片表面的薄膜即为一维纳米二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的一种一维纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述氨水的质量浓度为25-28%。

3.根据权利要求1所述的一种一维纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述真空干燥器在恒温箱中恒温保存的温度为25~102℃。

4.根据权利要求3所述的一种一维纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述真空干燥器在恒温箱中恒温保存的温度为100℃。

5.根据权利要求1所述的一种一维纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述真空干燥器在恒温箱中恒温保存的保存时间为1~24小时。

6.根据权利要求1所述的一种一维纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述盛放硅源和氨水的容器置于真空干燥器的底部，干燥后的载玻片置于真空干燥器的瓷板上。

7.根据权利要求1所述的一种一维纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述一维纳米二氧化硅的化学气相沉积法生长过程中，真空干燥器的真空度为-0.05~-0.10 Mpa。

8.根据权利要求1所述的一种一维纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述清洗、干燥方法具体为将载玻片置于乙醇中，超声清洗，然后用氮气吹干。

9.根据权利要求1所述的一种一维纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，通过真空干燥器在恒温箱中的保存时间调节制备得到的一维纳米二氧化硅的长度。

10.一种采用如权利要求1所述的制备方法制备得到的一维纳米二氧化硅，其特征在于，由直径为46~53 nm的非晶态二氧化硅组成，并且该一维纳米二氧化硅具有疏水性。