[发明专利]一种Nand Flash中干扰页的检测方法、系统

说明书

本申请提供一种Nand Flash中干扰页的检测方法，包括：对Nand Flash的任意逐页写入数据；每写完一页数据，读取当前页之前的所有页数据并判断是否发生数据损坏；若否，则继续写入数据；若是，确认当前页为干扰页，将干扰页编号记入缓冲区；擦除存储块，对存储块中除干扰页编号以外页按编号顺序写入数据并判断是否发生数据损坏；循环执行直至所有干扰页编号均记入缓冲区。本申请使得存储块上电时根据缓冲区中记录的干扰页编号避开干扰页进行数据存储，有利于增强Nand flash存储数据的安全性。本申请还提供一种Nand Flash中干扰页的检测系统、一种计算机可读存储介质和一种终端，具有上述有益效果。

技术领域

本申请涉及存储设备领域，特别涉一种Nand Flash中干扰页的检测方法、系统、一种计算机可读存储介质和一种终端。

背景技术

Nand Flash在存储数据的过程中，块内的页在写入数据后，可能会引起该页所在的块已存储了正确数据的其他页数据变坏，在不操作这些导致其他页数据变坏的页时，Nand flash已存储的数据则正常。因此，如何避免在写入数据时将数据写入到干扰页是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种Nand Flash中干扰页的检测方法、系统、一种计算机可读存储介质和一种终端，能够检测出Nand Flash中的干扰页。

为解决上述技术问题，本申请提供一种Nand Flash中干扰页的检测方法，具体技术方案如下：

S1：获取所述Nand Flash的任意存储块；

S2：对所述存储块逐页写入数据；

S3：每写完一页数据，读取当前页之前的所有页数据；

S4：判断当前页之前的所述所有页数据是否发生数据损坏；若是，进入S5；若否，则返回S2；

S5：确认当前页为干扰页，将所述当前页的编号作为干扰页编号记入缓冲区；

S6：判断所述存储块中是否所有页均写过数据；若是，结束检测；若否，进入S7；

S7：擦除所述存储块，对所述存储块中除所述干扰页编号以外页按编号顺序写入数据，并对所述干扰页编号后的页执行S3和S4。

其中，还包括：

在所述缓冲区的起始端和结束端设置标识符，并存于预设存储块。

其中，对所述存储块逐页写入数据之前，还包括：

对所述存储块的每页进行读写测试，若所有页的读写测试均通过，则确认所述存储块功能正常并执行S2。

其中，所述Nand Flash上电后时，还包括：

根据所述标识符识别所述缓冲区；

读取缓存区中的干扰页编号；

对除所述干扰页编号外的存储页写入数据。

本申请还提供一种Nand Flash中干扰页的检测系统，包括：

块获取模块，用于获取所述Nand Flash的任意存储块；

数据写入模块，用于对所述存储块逐页写入数据；

干扰检测模块，用于每写完一页数据，读取当前页之前的所有页数据；判断当前页之前的所述所有页数据是否发生数据损坏；若是，进入干扰页记录模块；若否，则返回所述数据写入模块；

所述干扰页记录模块，用于确认当前页为干扰页，将所述当前页的编号作为干扰页编号记入缓冲区；