[发明专利]3D存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D存储器件，包括：

衬底；

栅叠层结构，位于所述衬底上方，包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；

多个沟道柱和多个通道孔，贯穿所述栅叠层结构；

掺杂区，位于所述通道孔底部且形成于所述衬底内；

第一导电层，覆盖所述通道孔的内壁并与所述掺杂区接触；以及

芯部，位于所述通道孔内部以及所述掺杂区的上方，

其中，所述芯部为掺杂了一定浓度杂质原子的掺杂多晶硅，调节所述杂质原子的掺杂浓度以实现对所述3D存储器件的表面翘曲程度的连续调节。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述杂质原子为氮原子、磷原子和砷原子中的一个或者多个。

3.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述杂质原子的掺杂浓度与所述3D存储器件的表面翘曲程度呈线性关系。

4.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述3D存储器件还包括：

复合沉积层，位于所述第一导电层与所述芯部之间，覆盖所述第一导电层的部分表面，且包覆所述芯部的侧壁。

5.根据权利要求4所述的3D存储器件，其中，所述复合沉积层包括种子层和作为硅基的乙硅烷层。

6.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述3D存储器件还包括：

导电柱，位于所述通道孔内以及所述芯部的上方；以及

第二导电层，至少覆盖所述导电柱的侧壁，且与所述第一导电层直接触，从而与所述掺杂区形成电连接。

7.根据权利要求6所述的3D存储器件，其中，所述第二导电层还位于所述芯部和所述导电柱之间。

8.根据权利要求6所述的3D存储器件，其中，

所述第一导电层包括由第一导电材料形成的第一材料层和由第二导电材料形成的第二材料层；

所述第二导电层包括由第一导电材料形成的第三材料层和由第二导电材料形成的第四材料层。

9.根据权利要求8所述的3D存储器件，其中，所述第一导电材料为钛，所述第二导电材料为氮化钛，所述导电柱的材料包括钨。

10.一种3D存储器件的制造方法，包括：

在衬底上形成栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层；

形成贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱和多个通道孔；

在所述通道孔底部及所述衬底内部形成具有暴露表面的掺杂区；

形成覆盖所述通道孔的内壁且与所述掺杂区接触的第一导电层；以及

在所述通道孔内以及所述掺杂区的上方形成芯部，

其中，所述芯部为掺杂了一定浓度的杂质原子的掺杂多晶硅，调节所述杂质原子的掺杂浓度以实现对所述3D存储器件的表面翘曲程度的连续调节。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述杂质原子为氮原子、磷原子和砷原子中的一个或者多个。

12.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述杂质原子的掺杂浓度与所述3D存储器件的表面翘曲程度呈线性关系。

13.根据权利要求10所述的制造方法，其中，还包括：形成位于所述第一导电层与所述芯部之间，覆盖所述第一导电层的部分表面，且包覆所述芯部的侧壁的复合沉积层。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述复合沉积层包括种子层和作为硅基的乙硅烷层。